本儀器可對N溝道及P溝道大功率MOS場效應晶體管的主要技術參數進行測量。在測量注入可高達10A電流時的gm及RDS(on) 等晶體管圖示儀無法檢測的參數時，采用了國際電工委員會（IEC）所規(guī)定的脈沖法進行測量，有效地避免了被測器件的發(fā)熱所引起的參數漂移和被測器件的破壞。技術指標：（1）柵源截止電壓VGS(off)：0～±12V（2）柵源閾值電壓VGS(th) ：0～±12V（3）漏源短路時的柵源擊穿電壓V(BR)GSS：0～±1000V（4）漏源擊穿電壓V(BR)DS：0～±1000V（5）漏源短路時的柵極截止電流IGSS：1μA～100mA（6）零柵壓時的漏極電流IDSS：1μA～100mA（7）靜態(tài)漏源通態(tài)電阻RDS (on)）：0～1KΩ（VDS/ID）（8）低頻跨導gm：1mS～100S (VDS=12V,  ID=0～10A脈沖測試) 以上是大功率管測試儀的詳細信息，如果您對大功率管測試儀的價格、廠家、型號、圖片有什么疑問，請聯系我們獲取大功率管測試儀的新信息。