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企業(yè)檔案

北京羲和陽(yáng)光科技發(fā)展有限公司

免企業(yè)未認(rèn)證證營(yíng)業(yè)執(zhí)照未上傳

經(jīng)營(yíng)模式：工廠

所在地：北京

主營(yíng)產(chǎn)品：硅料檢測(cè)分選儀;硅片電阻率測(cè)試儀;薄膜方塊電阻率測(cè)試儀;硅芯/硅棒電阻率測(cè)試儀;少子壽命測(cè)試儀;

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產(chǎn)品品牌：: 羲和

產(chǎn)品型號(hào)：: 進(jìn)口

硅棒\硅錠紅外探傷儀

實(shí)現(xiàn)對(duì)太陽(yáng)能硅塊快速、無(wú)接觸的缺陷檢測(cè)。檢測(cè)的缺陷類型包括：裂紋和空洞、SiC雜質(zhì)、微晶聚集結(jié)構(gòu)、金屬沉淀。紅外光源、紅外濾片、紅外采集模塊均為進(jìn)口材料；用戶在計(jì)算機(jī)中可以輕松對(duì)硅塊進(jìn)行探傷分析；通過(guò)紅色線激光定位裝置快速準(zhǔn)確定位傷痕位置。

對(duì)現(xiàn)有進(jìn)口紅外探傷儀的若干缺點(diǎn)進(jìn)行升級(jí)：
1、因?yàn)槲也捎昧思t外發(fā)射光源和紅外透片，光源的照度很低，所以的設(shè)備可以持續(xù)開(kāi)機(jī)運(yùn)行，而不必運(yùn)行2分鐘后關(guān)機(jī)散熱，確保工作效率、確保成像更加清晰。
2、采用了基線定位圖像的計(jì)算方法，這樣對(duì)硅錠的傷痕定位非常精準(zhǔn)，可以達(dá)到0.01mm的度。
3、系統(tǒng)增加了垂直定位單元，并利用線性激光光源發(fā)射激光束，來(lái)精準(zhǔn)快速的定位傷痕位置。
4、系統(tǒng)的操作步驟進(jìn)行了若干優(yōu)化。

另外該產(chǎn)品為本公司自主生產(chǎn)產(chǎn)品，各個(gè)模塊以及軟件均可定制！

產(chǎn)品特點(diǎn)

■ 系統(tǒng)操作簡(jiǎn)單、便捷；
■ 線掃描模式的高分辨率紅外CCD 探測(cè)器；
■ 硅塊掃描尺寸至400×210×210mm；
■ 適應(yīng)非拋光及拋光硅塊樣品；
■ 集成驅(qū)動(dòng)馬達(dá)，自動(dòng)旋轉(zhuǎn)樣品臺(tái)，實(shí)現(xiàn)硅錠4 側(cè)面的自動(dòng)測(cè)試；
■ 提供自動(dòng)、手動(dòng)兩種檢測(cè)模式，方便對(duì)缺陷區(qū)域進(jìn)行快速定位；
■ 特有校準(zhǔn)模板，可以消除系統(tǒng)光學(xué)像差，提高缺陷定位；
■ 系統(tǒng)軟件能夠自動(dòng)識(shí)別硅錠缺陷，幫助分析缺陷類型；
■ 系統(tǒng)軟件能夠定位硅錠缺陷，并可將其轉(zhuǎn)換為三維（3D）模型圖像。

技術(shù)指標(biāo)

■ 測(cè)試缺陷：裂紋，雜質(zhì)，空洞，微晶區(qū)等；
■ 掃描模式：線掃描；
■ 測(cè)試速度：4面檢測(cè)<1分鐘；
■ 測(cè)試尺寸：400×210×210mm；
■ 光源<300W
■ 定位：＜100μm；
■ 定位重復(fù)性：30μm；
■ 分辨率：1000×2600px；
■ AC：110V/15A。

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