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TURCK流量開關(guān),F(xiàn)CT-G1/2A4P-AP8X-H1141?24VDC
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TURCK流量開關(guān),F(xiàn)CT-G1/2A4P-AP8X-H1141?24VDC

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上海乾拓貿(mào)易有限公司
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上海市
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2014/2/25 11:46:22

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TURCK流量開關(guān),F(xiàn)CT-G1/2A4P-AP8X-H1141 24VDC
TURCK流量開關(guān)在穩(wěn)態(tài)工作情況下輸出量變化△y對輸入量變化△x的比值。
它是輸出一輸入特性曲線的斜率。如果傳感器的輸出和輸入之間顯線性關(guān)系,則靈敏度S是一個常數(shù)。否則,它將隨輸入量的變化而變化。
靈敏度的量綱是輸出、輸入量的量綱之比。例如,某位移傳感器,在位移變化1mm時,輸出電壓變化為200mV,則其靈敏度應(yīng)表示為200mV/mm。
當(dāng)傳感器的輸出、輸入量的量綱相同時,靈敏度可理解為放大倍數(shù)。提高靈敏度,可得到較高的測量。但靈敏度愈高,測量范圍愈窄,穩(wěn)定性也往往愈差。分辨率是指傳感器可感受到的被測量的小變化的能力。也就是說,如果輸入量從某一非零值緩慢地變化。當(dāng)輸入變化值未超過某一數(shù)值時,傳感器的輸出不會發(fā)生變化,即傳感器對此輸入量的變化是分辨不出來的。只有當(dāng)輸入量的變化超過分辨率時,其輸出才會發(fā)生變化。
而垂直于薄膜平面時,靈敏度小。此特性可用來檢測外加磁場大小和方向,如磁性編碼器。
?0?23、飽和特性,磁阻元件阻值隨外加磁場強度增大而增加,
當(dāng)外加磁場強度大于飽和磁場強度時,其阻值不再增加并達(dá)到飽和,利用該特性檢測磁場方向的變化,如0PS導(dǎo)航系統(tǒng)、地磁場角度的變化等。
?0?2薄膜磁阻電流傳感器的電流輸入檢測端和信號輸出端隔離,無任何電聯(lián)系,具有靈敏度高、線性度優(yōu)良、結(jié)構(gòu)閹單、體積小、雙列直括IC封裝等特點。簿膜磁阻電流傳感器特別適用于電度表、儀器儀表、充電器和UPS電源系統(tǒng)等電流檢測和控制,具高、線性好、便于小型化。磁阻電流傳感器,可用于大功率器件1GBT過載和短路的保護,具反應(yīng)快,溫度特性好等優(yōu)點。
傳感器中的電阻應(yīng)變片具有金屬的應(yīng)變效應(yīng),即在外力作用下產(chǎn)生機械形變,從而使電阻值隨之發(fā)生相應(yīng)的變化。電阻應(yīng)變片主要有金屬和半導(dǎo)體兩類,金屬應(yīng)變片有金屬絲式、箔式、薄膜式之分。半導(dǎo)體應(yīng)變片具有靈敏度高(通常是絲式、箔式的幾十倍)、橫向效應(yīng)小等優(yōu)點。
  壓阻式傳感器是根據(jù)半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)在半導(dǎo)體材料的基片上經(jīng)擴散電阻而制成的器件。其基片可直接作為測量傳感元件,擴散電阻在基片內(nèi)接成電橋形式。當(dāng)基片受到外力作用而產(chǎn)生形變時,各電阻值將發(fā)生變化,電橋就會產(chǎn)生相應(yīng)的不平衡輸出。
  用作壓阻式傳感器的基片(或稱膜片)材料主要為硅片和鍺片,硅片為敏感材料而制成的硅壓阻傳感器越來越受到人們的重視,尤其是以測量壓力和速度的固態(tài)壓阻式傳感器應(yīng)用為普遍。
  熱電阻測溫是基于金屬導(dǎo)體的電阻值隨溫度的增加而增加這一特性來進行溫度測量的。熱電阻大都由純金屬材料制成,目前應(yīng)用多的是鉑和銅,此外,已開始采用鎳、錳和銠等材料制造熱電阻。

 

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