高壓樣品盤（24-150巴）
這種樣品盤在試驗(yàn)全過程中均將樣品包裹在一個(gè)密封的環(huán)境中。密封裝置可抑制溶劑蒸發(fā)或者阻止易揮發(fā)性反應(yīng)產(chǎn)物向外散發(fā)，從而可以消除蒸發(fā)散熱所引起的干擾效應(yīng)。
樣品盤工作溫度范圍體積（μL）壓力數(shù)量壓蓋器（密封器）部件編號(hào)
不銹鋼盤、盤蓋和O形圈-40°至300°C 60 24巴20 帶有B的B或者帶有的09908467 03190218
不銹鋼盤、盤蓋和O形圈-40°至300°C 6024巴 1000 帶有B的B或者帶有的09908467 03190029
高壓不銹鋼盤、盤蓋和密封帶1-170°至400°C 30 150巴 5B B
高壓鍍金盤和盤蓋1-170°至400°C 30 150巴 5 B B
高壓鈦盤、盤蓋和密封帶2-170°至400°C 30 150巴 5 B B
高容量鋁制樣品盤和盤蓋2-170°至500°C 70 30巴40 N或N N
低容量鋁制樣品盤和盤蓋3-170°至500°C 15 30巴40 N或N N5356003
1本品可重復(fù)使用，包括5個(gè)盤和20個(gè)鍍金密封片；本品使用替換型密封片（B）
2本品可重復(fù)使用，包括5個(gè)盤和20個(gè)鈦密封片；本品使用替換型密封片（B）
3電子密封器（N）需要使用密封模具（N）和臺(tái)架（N）；本品提供手動(dòng)密封器
樣品盤和盤蓋
樣品盤工作溫度范圍體積（μL）壓力數(shù)量壓蓋器（密封器）部件編號(hào)
?鋁盤和盤蓋-170°至730°C 40 環(huán)境壓力6 不需要N
? 標(biāo)準(zhǔn)銅盤和盤蓋6-170°至730°C 40 環(huán)境壓力
?熱處理鋁盤和盤蓋-170°至600°C 40 環(huán)境壓力100 不需要N
?石墨樣品盤和盤蓋-170°至600°C 40 環(huán)境壓力4 不需要
?金制樣品盤和盤蓋-170°至730°C 40 環(huán)境壓力10 不需要
? 銅制樣品盤4, 5, 6 -170°至800°C 45 環(huán)境壓力200 不需要N
? 大容量鋁制樣品盤2, 3 -170°至600°C 90 環(huán)境壓力200 N或NN
? 陶瓷樣品盤7室溫至1500°C 25 環(huán)境壓力5 不需要N
? 陶瓷樣品盤7室溫至1500°C 55 環(huán)境壓力2 不需要N
? 鉑制樣品盤8-170°至1500°C 45 環(huán)境壓力5 不需要N
? 高容量鉑制樣品盤8-170°至1500°C 95 環(huán)境壓力5 不需要N5356017
1不適用于自動(dòng)取樣器2沖壓式盤蓋（N）。不適用于DSC自動(dòng)取樣器，需要壓蓋模具和臺(tái)架（N）。
3板式盤蓋（N）4銅篩網(wǎng)式盤蓋（N）5不銹鋼篩網(wǎng)式盤蓋（N）6建議用于OIT試驗(yàn)7無蓋8板式盤蓋（N）
與DSC 4000、DSC6000、DSC 8000、DSC 8500、Diamond DSC、Pyris 1 DSC、DSC 7、DSC 6、Pyris 6DSC和Jade DSC配合使用與Sapphire DSC配合使用
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