2SC3356-R25硅頻低噪聲功率管是一種基于N型外延層的晶體管,因為該型號放大倍數(shù)為125-250檔的命名為R25，并且塑封體本體上印字為R25，所以簡稱為R25三管。該三管具有高功率增益、低噪聲特性、大動態(tài)范圍和理想的電流特性。主要應(yīng)用于頻低噪聲功率管主要應(yīng)用于VHF，UHF，CATV,無線遙控、射頻模塊等高頻寬帶低噪聲放大器。該芯片原產(chǎn)于NEC公司，現(xiàn)在國內(nèi)也有生產(chǎn)。北京鼎霖電子在該公司已有的微波相控陣雷達功率放大器件生產(chǎn)技術(shù)的基礎(chǔ)上，為民用市場研制開發(fā)了系列高頻微波三管，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2S226，BFR540，BFR520等，其性能指標同NEC、philips同類產(chǎn)品相同。 

2SC3356電性能參數(shù)（TA=25℃）：

擊穿電壓:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V 　　直流放大系數(shù)hFE:40～250 @VCE=3V,IC=7mA 　　集電-基截止電流ICBO:100nA(值) 　　發(fā)射-基截止電流IEBO:100nA(值) 　　特征頻率fT:5.0GHz@VCE=3V,IC=7mA 　　集電允許電流IC：0.1（A） 　　集電允許耗散功率PT：0.2（W） 　　功率增益∣S21∣：9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz 　　噪聲系數(shù)NF：1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz 　　反饋電容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。 　　貯存溫度Tstg:-65~150℃ 　　封裝形式：SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59 　　功率特性：率 　　性：NPN型 　　結(jié)構(gòu)：擴散型 　　材料：硅(Si) 　　封裝材料：塑料封裝 

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