華科智源研發(fā)生產(chǎn)半導體測試設(shè)備，提供大功率IGBT到小功率管的測試， 包括動態(tài)參數(shù)和靜態(tài)參數(shù)測試，雪崩能量測試以及熱阻測試， 索取相關(guān)資料和報價請聯(lián)系陳先生18

ITC55100是原成功產(chǎn)品ITC5510的升級版本，它能執(zhí)行ITC5510系列的所有測試，同時增加了許多功能，如提高測試，測試結(jié)果的收集，查看測試結(jié)果，連接多個被測品。ITC55100可以用來對功率MOSFET和IGBT的耐用性測試。 它還能測試單，雙二極管，使用ITC55 RSF輸出選擇器盒還可以測量IGBT的正向和反向偏置。

itc55100雪崩能量測試儀能力： 
- 電流范圍：0.1A to 200A, 0.1A Steps 
- 電感范圍：0.01mH~159.99mH 
- 雪崩電壓：to 2500V 
測試標準： 
- MIL-STD-750F 2012 Method 3470

itc55100雪崩能量測試儀測試模式

單脈沖松開電感的開關(guān)（UIS）

單脈沖雪崩應(yīng)力（EAS）

重復性雪崩能量（EAR）

重復脈沖故障（RPF）

itc55100雪崩能量測試儀執(zhí)行的測試

連續(xù)性測試裝置的插座和/或接觸

DC零柵極偏置漏 - 源泄漏測試

- 前，后的雪崩

功能設(shè)備測試

雪崩測試

特點

單路/雙路設(shè)備測試

N溝道，P溝道，混合

全固態(tài)切換 - 無需繼電器

更快的測試

電流范圍：0.1A至200A，0.1A步驟

雪崩電壓至2500V

觸摸屏程序進入/控制

波形捕獲/顯示

內(nèi)部測試程序存儲（20個文件）

高速電感充電，減少了測試時間

可編程漏電測試電壓

前置/后置雪崩泄漏測試

雪崩折疊測試

多功能測試處理器控制

15硬件排序箱

改進的電壓/電流

通過Flash軟件更新

高速RS-485 PTNet接口

控制參數(shù)輸入密碼

使用所有ITC電感負載箱

接口與ITC55MUX4 ITC55 RSF

內(nèi)置自我測試

安全特性

測試時間

過量的泄漏關(guān)閉

外部安全鎖定

兩個并聯(lián)的手動啟動按鈕

不斷監(jiān)測設(shè)備的電流。 如果電流超過或未能達到測試終止

指定或計算時間的可編程水平。
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