漏電微光顯微鏡分析儀emmi芯片失效分析半導(dǎo)體測(cè)試 漏電微光顯微鏡分析儀emmi芯片
主要用途 當(dāng)氧化層崩潰、靜電放電破壞、閂鎖效應(yīng)時(shí)，產(chǎn)生了過量的電子和空穴結(jié)合并產(chǎn)生躍遷光子，由探測(cè)器通過顯微鏡收集這些光子并地定位出其位置，通常這個(gè)位置就是存在異常的缺陷位置。 性能參數(shù) a)InGaAs檢測(cè)器，分辨率：320*256 像素； b)偵測(cè)波長(zhǎng)范圍900nm - 1700nm c)像素尺寸：30um x 30um d)曝光時(shí)間 20ms - 400s e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x f)Back side EMMI 應(yīng)用范圍 1.P-N接面漏電 2.飽和區(qū)晶體管的熱電子 3.P-N接面崩潰 4.閂鎖效應(yīng) 5.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā) 漏電微光顯微鏡分析儀emmi芯片
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