詢價
- 電源：AC 220V±10%
- 可判別鍺、硅材料的電阻率范圍：鍺：非本征鍺～10?4Ω·cm
- 外型尺寸：370×320×110（mm）
- 可判別鍺、硅材料的電阻率范圍：硅：10４～10-4Ω·cm
- 重量：約5.3 kg
- 鍺、硅單晶直徑及長度：不受限制
導電型號測試儀是嚴格按照SEMI MF42-1105、GB/T 1550-1997（非本征半導體材料導電類型的標準測試方法）中的熱探針法及整流導電類型測試方法設(shè)計的導電類型鑒別儀。
本儀器熱探筆內(nèi)裝有加熱和控溫組件，自動加熱并使溫度維持在40?60℃范圍內(nèi)，冷熱探筆在半導體材料上產(chǎn)生的熱電動勢及整流法產(chǎn)生的電勢差經(jīng)低噪聲、低漂移的集成運算放大器放大后，用液晶件（LCD）顯示及檢流計指示型號方向。儀器靈敏度分高、低兩檔，可在的電阻率（從高阻單晶到重摻單晶）范圍內(nèi)判別半導體材料型號。
技術(shù)參數(shù)
（1）可判別鍺、硅材料的電阻率范圍：
鍺：非本征鍺～10?4Ω·cm 硅：10４～10-4Ω·cm
經(jīng)外實驗證明：在室溫情況下，熱電法對于電阻率低于1000Ω·cm的硅單晶測量結(jié)果；在室溫情況下，整流法對于電阻率1－1000Ω·cm的硅單晶測量結(jié)果
（2）鍺、硅單晶直徑及長度：不受限制
（3）顯示方式：由顯示N和P的液晶器件直接指示，同時刻度為零位指示器也在指示型號，指針向左偏轉(zhuǎn)被測樣品為N型，指針向右偏轉(zhuǎn)被測樣品為P型
（4）探針：先用SEMI MF42-1105標準中建議的不銹鋼作冷熱探針材料，針尖為60℃錐體，熱筆溫度自動保持在40?60℃范圍內(nèi)，冷筆與室溫相同。整流法選用硬質(zhì)合金作探針
（5）電源及功耗：AC 220V±10%，50HZ交流供電，大功耗（熱筆加熱狀態(tài)）小于40W，平均功耗≈10W
（6）外型尺寸：370×320×110（mm）
（7）重量：約5.3 kg
導電型號測試儀是嚴格按照SEMI MF42-1105、GB/T 1550-1997（非本征半導體材料導電類型的標準測試方法）中的熱探針法及整流導電類型測試方法設(shè)計的導電類型鑒別儀。
本儀器熱探筆內(nèi)裝有加熱和控溫組件，自動加熱并使溫度維持在40?60℃范圍內(nèi)，冷熱探筆在半導體材料上產(chǎn)生的熱電動勢及整流法產(chǎn)生的電勢差經(jīng)低噪聲、低漂移的集成運算放大器放大后，用液晶件（LCD）顯示及檢流計指示型號方向。儀器靈敏度分高、低兩檔，可在的電阻率（從高阻單晶到重摻單晶）范圍內(nèi)判別半導體材料型號。
技術(shù)參數(shù)
（1）可判別鍺、硅材料的電阻率范圍：
鍺：非本征鍺～10?4Ω·cm 硅：10４～10-4Ω·cm
經(jīng)外實驗證明：在室溫情況下，熱電法對于電阻率低于1000Ω·cm的硅單晶測量結(jié)果；在室溫情況下，整流法對于電阻率1－1000Ω·cm的硅單晶測量結(jié)果
（2）鍺、硅單晶直徑及長度：不受限制
（3）顯示方式：由顯示N和P的液晶器件直接指示，同時刻度為零位指示器也在指示型號，指針向左偏轉(zhuǎn)被測樣品為N型，指針向右偏轉(zhuǎn)被測樣品為P型
（4）探針：先用SEMI MF42-1105標準中建議的不銹鋼作冷熱探針材料，針尖為60℃錐體，熱筆溫度自動保持在40?60℃范圍內(nèi)，冷筆與室溫相同。整流法選用硬質(zhì)合金作探針
（5）電源及功耗：AC 220V±10%，50HZ交流供電，大功耗（熱筆加熱狀態(tài)）小于40W，平均功耗≈10W
（6）外型尺寸：370×320×110（mm）
（7）重量：約5.3 kg
導電型號測試儀 LN12-STY-3庫號M389362 導電型號測試儀 LN12-STY-3庫號M389362 導電型號測試儀 LN12-STY-3庫號M389362 導電型號測試儀 LN12-STY-3庫號M389362
