沉淀法二氧化硅實(shí)驗(yàn)室在線濕法研磨分散機(jī) 

二氧化硅，是一種無(wú)機(jī)化合物，化學(xué)式為SiO2，硅原子和氧原子長(zhǎng)程有序排列形成晶態(tài)二氧化硅，短程有序或長(zhǎng)程無(wú)序排列形成非晶態(tài)二氧化硅。二氧化硅晶體中，硅原子位于正四面體的**，四個(gè)氧原子位于正四面體的四個(gè)頂角上，許多個(gè)這樣的四面體又通過(guò)頂角的氧原子相連，每個(gè)氧原子為兩個(gè)四面體共有，即每個(gè)氧原子與兩個(gè)硅原子相結(jié)合。二氧化硅的*簡(jiǎn)式是SiO2，但SiO2不代表一個(gè)簡(jiǎn)單分子（僅表示二氧化硅晶體中硅和氧的原子個(gè)數(shù)之比）。純凈的天然二氧化硅晶體，是一種堅(jiān)硬、脆性、不溶的無(wú)色透明的固體，常用于制造光學(xué)儀器等

沉淀法二氧化硅是采用硅酸鈉為原料與濃硫酸在液相中發(fā)生反應(yīng)，經(jīng)過(guò)液相分離、中和、脫水、干燥、機(jī)械研磨等過(guò)程生產(chǎn)而成。

上海IKN技術(shù)，獨(dú)特創(chuàng)意，融化理念。將IKN高剪切膠體磨進(jìn)行進(jìn)一步的改良，在原來(lái)CM2000系列的基礎(chǔ)上，將單一的膠體磨磨頭模塊，改良成兩級(jí)模塊，加入了**分散盤（均質(zhì)盤、乳化盤）。從而形成改良型的膠體磨，先研磨后分散（均質(zhì)、乳化），將物料的處理一步到底的完成，我們將這種改良的膠體磨也稱為“研磨分散機(jī)”、“研磨均質(zhì)機(jī)”、“研磨乳化機(jī)”。

CMD2000系列是IKN（上海）公司經(jīng)過(guò)研究剛剛研發(fā)出來(lái)的一款新型產(chǎn)品，該機(jī)特別適合于需要研磨分散乳化均質(zhì)一步到位的物料。

CMD2000研磨機(jī)為立式分體結(jié)構(gòu)，**的零部件配合運(yùn)轉(zhuǎn)平穩(wěn)，運(yùn)行噪音在73DB以下。同時(shí)采用德國(guó)博格曼雙端面機(jī)械密封，并通冷媒對(duì)密封部分進(jìn)行冷卻，把泄露概率降到低，保證機(jī)器連續(xù)24小時(shí)不停機(jī)運(yùn)行。

CMD2000研磨機(jī)有一定輸送能力，對(duì)高固含量有一定粘稠度物料，CM2000設(shè)計(jì)了符合漿液流體特性的特殊轉(zhuǎn)子，進(jìn)行物料的推動(dòng)輸送；所有與物料接觸部位均為316L不銹鋼，機(jī)座采用304不銹鋼；特殊要求如：硬度較大物料，對(duì)鐵雜質(zhì)要求嚴(yán)苛的物料，管道有一定壓力并且需不間斷運(yùn)轉(zhuǎn)的工況，可選磨頭噴涂碳化物或陶瓷；CMD2000改良型膠體磨腔體外有夾套設(shè)計(jì)，可通冷卻或者升溫介質(zhì)。

CMD2000系列研磨分散機(jī)設(shè)備選型表
 

流量取決于設(shè)置的間隙和被處理物料的特性，可以被調(diào)節(jié)到zui大允許量的10

研磨分散機(jī)的特點(diǎn)：

1、 線速度很高，剪切間隙非常小，當(dāng)物料經(jīng)過(guò)的時(shí)候，形成的摩擦力就比較劇烈，結(jié)果就是通常所說(shuō)的濕磨

2、 定轉(zhuǎn)子被制成圓椎形，具有精細(xì)度遞升的三級(jí)鋸齒突起和凹槽。

3、 定子可以無(wú)限制的被調(diào)整到所需要的與轉(zhuǎn)子之間的距離

4、 在增強(qiáng)的流體湍流下，凹槽在每級(jí)都可以改變方向。

5、 高質(zhì)量的表面拋光和結(jié)構(gòu)材料，可以滿足不同行業(yè)的多種要求。

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