MOS管參數(shù)測(cè)試儀SC2015

一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介/特點(diǎn)：

MOS管參數(shù)測(cè)試儀SC2015主要用于中小電子產(chǎn)品企業(yè)對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管或IGBT的批量測(cè)量，篩選，非常適合來(lái)料檢驗(yàn)使用。
1、采用高精度AD，滿足測(cè)量精度，而高速微處理器和電子開(kāi)關(guān)，使測(cè)量工作迅速、高效、寧?kù)o。采用國(guó)際先進(jìn)脈沖測(cè)量法，可以提供10A~75A以上的測(cè)試電流，而不會(huì)使被測(cè)管子發(fā)熱。有自動(dòng)均流功能，確保被測(cè)管安全。
2、有自檢功能、測(cè)量判斷功能以及故障報(bào)警指示功能，當(dāng)不是Vmos管時(shí)或錯(cuò)插等，測(cè)量不能繼續(xù)。在測(cè)量前后，測(cè)量插座柵源之間是短路狀態(tài)，以確保被測(cè)量管插入或拔出管座時(shí)的安全。
3、有20A~150A容量選擇，即便是選錯(cuò)電流檔用大電流測(cè)量小容量管子，也不會(huì)損害被測(cè)管。
4、您可以按需要設(shè)定分選參數(shù)范圍?？稍O(shè)定的有：開(kāi)啟電壓Ut、跨導(dǎo)Gfs、通態(tài)電阻Ron以及極間電容Cir的下限和上限。對(duì)于超限的測(cè)量，蜂鳴器會(huì)報(bào)警，并且哪個(gè)參數(shù)超限，會(huì)閃爍提示，用戶可以不大理會(huì)符合標(biāo)準(zhǔn)的參數(shù)具體數(shù)據(jù)，只在報(bào)警時(shí)注意閃爍的參數(shù)，這樣極大的方便了工業(yè)批量測(cè)量。
5、使用簡(jiǎn)單，不需要專(zhuān)業(yè)知識(shí)。

6、規(guī)格尺寸240*350*130mm（寬*深*高），桌面小臺(tái)式結(jié)構(gòu)，采用鋁合金冷拉型板為框架，支腳可調(diào)。

7、工作臺(tái)有TO220和3P插座，面板設(shè)有容量選擇，以及220/3P選擇，方便用戶使用。
二、性能指標(biāo)：
1、測(cè)量VMOS管可同時(shí)顯示：
 通態(tài)電阻Ron：1~999mΩ (超過(guò)999 mΩ時(shí)，自動(dòng)轉(zhuǎn)為9.99Ω擋)
　跨導(dǎo)Gfs：0~99.9S

耐壓Bv：0~1999V
　開(kāi)啟電壓Ut：0~12V
　極間電容Cir：0.1~9.9 (np)

通態(tài)電流Id:0-129.9V
2、如果您需要，通過(guò)輔助功能鍵，還可以得到：
　a、Cir 1% nP精度；
　b、Ut 1%V 精度；
　c、測(cè)量Ron時(shí)的： Ids(max A),Vds(min V)；
 d、以及測(cè)量Ggs時(shí)：Ids(A),Vds(V),Vgs(V)；
3、10位LED顯示。
4、設(shè)備供電160V~230V 正常工作。
三、測(cè)試參數(shù)：

（1）二極管Diode

靜態(tài)參數(shù)：BVR/擊穿電壓、IR/漏電流、VF/正向壓降；

（2）三極管Transistor

靜態(tài)參數(shù)：BVCES/集射極擊穿電壓，VGE(th)/柵極開(kāi)啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VCESAT/飽和壓降

（2）場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET

靜態(tài)參數(shù)：BVDSS/漏源極擊穿電壓，Ut/開(kāi)啟電壓，Ids/漏源極漏電流，Vf/二極管正向壓降；Ron/導(dǎo)通內(nèi)阻，Gfs/跨導(dǎo),Cir/極間電容

（3）晶體管IGBT

靜態(tài)參數(shù)：BVCES/集射極擊穿電壓，VGE(th)/柵極開(kāi)啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降；VCESAT/飽和壓降

應(yīng)用領(lǐng)域：

電子廠的功率器件來(lái)料檢驗(yàn)、器件廠的產(chǎn)品分選、電子產(chǎn)品研發(fā)的選型配對(duì)、電子產(chǎn)品維修檢驗(yàn)等。