FE-5000W+型綜合鐵電測(cè)試儀（薄膜+塊體+變溫）
關(guān)鍵詞:電滯回線 ,鐵電測(cè)試儀，電壓，頻率 ，電致應(yīng)變，蝴蝶曲線
一、產(chǎn)品介紹：
FE-5000W+型綜合鐵電測(cè)試儀（薄膜+塊體+變溫）是一款高量程款的鐵電性能材料測(cè)試裝置，這款設(shè)備可以適用于鐵電薄膜、鐵電體材料（既可塊體材料）的電性能測(cè)量，可測(cè)量鐵電薄膜電滯回線、可測(cè)出具有非對(duì)稱電滯回線鐵電薄膜值。可以進(jìn)行電致應(yīng)變測(cè)試，可以蝴蝶曲線功能，設(shè)備還可以擴(kuò)展高溫電阻，高溫介電，電容-電壓曲線，TSC/TSDC等功能。本儀器是從事壓電材料及壓電元件生產(chǎn)、應(yīng)用與研究部門的重要設(shè)備之一，已經(jīng)在各大高校和科研院所廣泛使用。
(二)主要功能應(yīng)用范圍：
1、陶瓷塊體測(cè)試：
鈦酸鋇（BaTiO?）陶瓷
鋯鈦酸鉛（Pb (Zr,Ti) O?，PZT）陶瓷
鈦酸鉍鈉（(Bi?/?Na?/?) TiO?，BNT）陶瓷
鈮酸鹽系陶瓷
鈮鎂酸鉛（Pb (Mg?/?Nb?/?) O?，PMN）陶瓷
2、鐵電薄膜測(cè)試：
超薄二維p型BiCuSeO薄膜
鈦酸鋇（BaTiO?）薄膜
鉛鋯鈦氧化物（Pb (Zr,Ti) O?，PZT）薄膜
鈮酸鋰（LiNbO?）薄膜
鈦酸鉛（PbTiO?）薄膜
鈦酸鍶鋇（Ba?Sr???TiO?，BST）薄膜
薄膜聚合等其他材料
3、鐵電材料變溫測(cè)試
4、可擴(kuò)展模塊：
印跡印痕IM
變溫測(cè)試THM
POM 模塊實(shí)現(xiàn)極化測(cè)量功能
CVM模塊實(shí)現(xiàn)小信號(hào)電容測(cè)試，獲得C-V曲線
PZM模塊實(shí)現(xiàn)壓電特性測(cè)試
DPM模塊測(cè)試介電性能
RTM模塊測(cè)試電阻/電阻率性能
CCDM模塊實(shí)現(xiàn)電容充放電測(cè)試。
二、主要技術(shù)指標(biāo)：
1、輸出信號(hào)電壓：±5KV，±10KV可擴(kuò)展電致應(yīng)蝴蝶曲線功能
2、溫度；室溫-200℃，控溫精度：±1℃
3、控制施加頻率0.01到1KHz（陶瓷、單晶，薄膜）PC端軟件控制自定義設(shè)置；
4、控制輸出電流0到±50mA連續(xù)可調(diào)，PC端軟件控制自定義設(shè)置。
a) 5、動(dòng)態(tài)電滯回線測(cè)試頻率范圍 0.01Hz-5kHz（電滯回線測(cè)量頻率：250kHz / 0～10VAC，50kHz /10～200VAC；）
7、最小脈寬保持時(shí)間為20us;最小上升沿時(shí)間為10us;
8、疲勞測(cè)試頻率500kHz（振幅10 Vpp，負(fù)載電容1 nF）；使用高壓放大器后疲勞頻率5kHz;
9、測(cè)試速度：測(cè)量時(shí)間《5秒/樣品?溫度點(diǎn)
10、樣品規(guī)格：塊體材料尺寸：直徑2-100mm，厚度0.1-10mm
11、主要功能：電滯回線，I-V特性，脈沖PUND，疲勞Fatigue，電擊穿強(qiáng)度BDM，漏電流LM。
10. 電荷解析度不小于10 mC;漏電流測(cè)量范圍:1pA~ 20 mA，分辨率不低于0.1pA;
11.配置薄膜測(cè)試變溫探針臺(tái)一套，電子顯微鏡一套，高壓放大器±100V 一臺(tái)，溫度范圍：室溫~400度。樣品厚度：30nm~1mm，測(cè)試頻率0.01Hz~100kHz@0~±100V
12、最小脈寬保持時(shí)間為20us;最小上升沿時(shí)間為10us;
13、控制方式：計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)控制、實(shí)時(shí)顯示、實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)計(jì)算、分析與存儲(chǔ)
14、軟件采集：自動(dòng)采集軟件，分析可以兼容其他相關(guān)主流軟件。
14、測(cè)試精度：±0.05%
15、內(nèi)置電壓：±200V
16、應(yīng)變模塊：配置進(jìn)口干涉儀
主要技術(shù)參數(shù)：量程：0.3mm-30mm
綜合知識(shí)點(diǎn)：
鈦酸鋇（BaTiO?）薄膜:
具有較高的介電常數(shù)，其單晶薄膜的介電常數(shù)可達(dá)約 1200-1700，擊穿電場介于 200-400kV/cm。室溫下為四方相結(jié)構(gòu)，Ti 離子偏離中心位置，形成自發(fā)極化，常用于制作電容器、聲表面波換能器等器件。 |
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鉛鋯鈦氧化物（Pb (Zr,Ti) O?，PZT）薄膜： 呈現(xiàn)鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，Zr 和 Ti 分別占據(jù) B 位，Pb 占據(jù) A 位。其飽和極化強(qiáng)度（Ps）可達(dá) 60μC/cm2，殘余極化強(qiáng)度（Pr）約在 20-40μC/cm2，矯頑電場（Ec）約為 50-150kV/cm，介電常數(shù)約 500-1200，擊穿電場一般為 300-500kV/cm，在鐵電存儲(chǔ)器、壓電傳感器等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。 |
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鈮酸鋰（LiNbO?）薄膜：屬于鈮酸鋰型鐵電材料，具有良好的壓電、電光和非線性光學(xué)性能，在光通信、射頻器件等方面有重要應(yīng)用。 |
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鈦酸鉛（PbTiO?）薄膜：同樣具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，具有較高的居里溫度和自發(fā)極化強(qiáng)度，在高溫傳感器、鐵電電容器等方面有一定的應(yīng)用潛力。 |
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鈦酸鍶鋇（Ba?Sr???TiO?，BST）薄膜：其介電常數(shù)具有強(qiáng)電場可調(diào)性和微波頻率下相對(duì)較低的介電損耗，通過改變 Ba 和 Sr 的比例，可以調(diào)節(jié)其居里溫度和介電性能，廣泛應(yīng)用于微波可調(diào)諧器件。 |
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