X射線顯微成像/能譜(同步輻射)用氮化硅薄膜窗口
產(chǎn)品概述：
X-射線薄膜窗能夠?qū)崿F(xiàn)軟X-射線(如真空紫外線)的率。主要用于同步輻射X射線顯微成像時承載樣品。 X-射線越軟(能量越低)，穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。在“離軸”狀態(tài)工作(即薄膜與光束成角度)時，也需要較薄的薄膜窗口，便于X射線更好地穿透。
氮化硅薄膜窗口是利用現(xiàn)代MEMS技術(shù)制備而成，由于此種氮化硅窗口選用低應(yīng)力氮化硅(0-250MP)薄膜，因此比計量式和ST氮化硅薄膜更堅固耐用。提供的氮化硅薄膜窗口適合應(yīng)用于成像和能譜等廣泛的科學(xué)研究領(lǐng)域，例如，X-射線(上海光源成像/能譜線站)、TEM、SEM、IR、UV等。
現(xiàn)在提供X-射線顯微成像/能譜(同步輻射)用氮化硅薄膜窗系列產(chǎn)品，規(guī)格如下：
外框尺寸 (4種標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格):
5 mm x 5 mm (窗口尺寸：1.0 mm或和 1.5 mm 方形)
7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸：2.0 mm或 2.5 mm)
10 mm x 10 mm (窗口尺寸：3.0 mm或 5 mm 方形)
邊框厚度： 200μm、381μm、525μm。
Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nm
我們也可以為用戶定制產(chǎn)品(30-500nm)，但要100片起訂。
本產(chǎn)品為性產(chǎn)品，不建議用戶重復(fù)使用，本產(chǎn)品不能進(jìn)行聲清洗，適合化學(xué)清洗、輝光放電和等離子體清洗。
技術(shù)指標(biāo)：
透光度：
對于X射線用窗口，500nm厚的氮化硅薄膜有很好的X光穿透效果，對于軟X射線(例如碳邊吸收譜)，100-200nm厚的氮化硅薄膜窗口是用戶。
真空適用性：
真空適用性數(shù)據(jù)如下：
薄膜厚度 窗口面積 壓力差
≥50 nm ≤1.0 x 1.0 mm 1 atm
≥100 nm ≤1.5 x 1.5 mm 1 atm
≥200 nm ≤2.5 x 2.5 mm 1 atm
表面平整度：
氮化硅薄膜窗口產(chǎn)品的表面平整性很穩(wěn)定(粗糙度小于1nm)，對于X射線應(yīng)用沒有任何影響。
溫度特性：
氮化硅薄膜窗口產(chǎn)品是產(chǎn)品，能夠承受1000度高溫，適合在其表面利用CVD方法生長各種納米材料。
化學(xué)特性：
氮化硅薄膜窗口是惰性襯底。
應(yīng)用簡介和優(yōu)點(diǎn)：
1、同步輻射X射線(紫外或紫外)成像或能譜應(yīng)用中是的樣品承載體。
2、、惰性襯底，適應(yīng)各種聚合物、納米材料、半導(dǎo)體材料、光學(xué)晶體材料和功能薄膜材料的制備環(huán)境，利于制備理想的用于X射線表征用的自組裝單層薄膜或薄膜(薄膜直接沉積在窗口上)。
3、生物和濕細(xì)胞樣本的理想承載體。是在等離子體處理后，窗口具有很好的親水性。
4、、惰性襯底，也可以用于化學(xué)反應(yīng)和退火效應(yīng)的原位表征。
5、適合做為膠體、氣凝膠、材料和納米顆粒等的表征實(shí)驗(yàn)承載體。
氮化硅薄膜窗口系列
SN-LDE-505-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm
SN-LDE-510-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
SN-LDE-515-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm
SN-LDE-520-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：200nm
SN-LDE-705-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：50nm
SN-LDE-710-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：100nm
SN-LDE-715-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：150nm
SN-LDE-720-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：200nm
SN-LDE-105-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：50nm
SN-LDE-110-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：100nm
SN-LDE-115-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：150nm
SN-LDE-120-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：200nm
氮化硅薄膜窗口陣列系列
SN-AR-522-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，2×2陣列，膜厚：50nm
SN-AR-733-15 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列；膜厚：50nm
SN-AR-1044-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
氧化硅薄膜窗口系列
SO-505-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm
SO-510-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
SO-520-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm
SO-705-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：50nm
SO-710-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：100nm
SO-720-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：200nm
氮化硅薄膜窗口系列
SN-1010-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm
SN-1020-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm
SN-710-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm
SN-720-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm
定制產(chǎn)品
SN-5H5-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：500nm
SN-5H10-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：1000nm
SN-LDE-4-10 氮化硅片100nm-4英寸整張，10×10mm切片
襯底厚度：200um 溫度范圍：1000℃ 真空適應(yīng)：1個大氣壓
厚度可以選擇：200um，381um，525um，需要提前說明。
產(chǎn)品概述：
X-射線薄膜窗能夠?qū)崿F(xiàn)軟X-射線(如真空紫外線)的率。主要用于同步輻射X射線顯微成像時承載樣品。 X-射線越軟(能量越低)，穿透能力越差，所需氮化硅薄膜窗越薄。在“離軸”狀態(tài)工作(即薄膜與光束成角度)時，也需要較薄的薄膜窗口，便于X射線更好地穿透。
氮化硅薄膜窗口是利用現(xiàn)代MEMS技術(shù)制備而成，由于此種氮化硅窗口選用低應(yīng)力氮化硅(0-250MP)薄膜，因此比計量式和ST氮化硅薄膜更堅固耐用。提供的氮化硅薄膜窗口適合應(yīng)用于成像和能譜等廣泛的科學(xué)研究領(lǐng)域，例如，X-射線(上海光源成像/能譜線站)、TEM、SEM、IR、UV等。
現(xiàn)在提供X-射線顯微成像/能譜(同步輻射)用氮化硅薄膜窗系列產(chǎn)品，規(guī)格如下：
外框尺寸 (4種標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格):
5 mm x 5 mm (窗口尺寸：1.0 mm或和 1.5 mm 方形)
7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸：2.0 mm或 2.5 mm)
10 mm x 10 mm (窗口尺寸：3.0 mm或 5 mm 方形)
邊框厚度： 200μm、381μm、525μm。
Si3N4薄膜厚度：50、100、150和200nm
我們也可以為用戶定制產(chǎn)品(30-500nm)，但要100片起訂。
本產(chǎn)品為性產(chǎn)品，不建議用戶重復(fù)使用，本產(chǎn)品不能進(jìn)行聲清洗，適合化學(xué)清洗、輝光放電和等離子體清洗。
技術(shù)指標(biāo)：
透光度：
對于X射線用窗口，500nm厚的氮化硅薄膜有很好的X光穿透效果，對于軟X射線(例如碳邊吸收譜)，100-200nm厚的氮化硅薄膜窗口是用戶。
真空適用性：
真空適用性數(shù)據(jù)如下：
薄膜厚度 窗口面積 壓力差
≥50 nm ≤1.0 x 1.0 mm 1 atm
≥100 nm ≤1.5 x 1.5 mm 1 atm
≥200 nm ≤2.5 x 2.5 mm 1 atm
表面平整度：
氮化硅薄膜窗口產(chǎn)品的表面平整性很穩(wěn)定(粗糙度小于1nm)，對于X射線應(yīng)用沒有任何影響。
溫度特性：
氮化硅薄膜窗口產(chǎn)品是產(chǎn)品，能夠承受1000度高溫，適合在其表面利用CVD方法生長各種納米材料。
化學(xué)特性：
氮化硅薄膜窗口是惰性襯底。
應(yīng)用簡介和優(yōu)點(diǎn)：
1、同步輻射X射線(紫外或紫外)成像或能譜應(yīng)用中是的樣品承載體。
2、、惰性襯底，適應(yīng)各種聚合物、納米材料、半導(dǎo)體材料、光學(xué)晶體材料和功能薄膜材料的制備環(huán)境，利于制備理想的用于X射線表征用的自組裝單層薄膜或薄膜(薄膜直接沉積在窗口上)。
3、生物和濕細(xì)胞樣本的理想承載體。是在等離子體處理后，窗口具有很好的親水性。
4、、惰性襯底，也可以用于化學(xué)反應(yīng)和退火效應(yīng)的原位表征。
5、適合做為膠體、氣凝膠、材料和納米顆粒等的表征實(shí)驗(yàn)承載體。
氮化硅薄膜窗口系列
SN-LDE-505-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm
SN-LDE-510-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
SN-LDE-515-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm
SN-LDE-520-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：200nm
SN-LDE-705-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：50nm
SN-LDE-710-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：100nm
SN-LDE-715-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：150nm
SN-LDE-720-25 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：2.5×2.5mm，膜厚：200nm
SN-LDE-105-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：50nm
SN-LDE-110-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：100nm
SN-LDE-115-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：150nm
SN-LDE-120-30 氮化硅薄膜窗口，框架：10×10mm，窗口：3×3mm，膜厚：200nm
氮化硅薄膜窗口陣列系列
SN-AR-522-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，2×2陣列，膜厚：50nm
SN-AR-733-15 氮化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列；膜厚：50nm
SN-AR-1044-15 氮化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
氧化硅薄膜窗口系列
SO-505-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：50nm
SO-510-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：100nm
SO-520-15 氧化硅薄膜窗口，框架：5×5mm，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：150nm
SO-705-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：50nm
SO-710-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：100nm
SO-720-25 氧化硅薄膜窗口，框架：7.5×7.5mm，窗口：1.5×1.5mm，3×3陣列，膜厚：200nm
氮化硅薄膜窗口系列
SN-1010-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm
SN-1020-2-AU10 氮化硅基底框架：10×10mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm
SN-710-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：100nm，金膜厚度：10nm
SN-720-2-AU10 氮化硅基底框架：7.5×7.5mm，窗口：2×2mm，膜厚：200nm，金膜厚度：10nm
定制產(chǎn)品
SN-5H5-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：500nm
SN-5H10-15 氮化硅基底框架：5×5mm，硅片厚度：200um，窗口：1.5×1.5mm，膜厚：1000nm
SN-LDE-4-10 氮化硅片100nm-4英寸整張，10×10mm切片
襯底厚度：200um 溫度范圍：1000℃ 真空適應(yīng)：1個大氣壓
厚度可以選擇：200um，381um，525um，需要提前說明。
