介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀：GDAT-A
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
    
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀的詳細(xì)資料：
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀概述
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε)，可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素，為材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制，測(cè)量采用了頻率數(shù)字鎖定，標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定，諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索，Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換，數(shù)值顯示等新技術(shù)，改進(jìn)了調(diào)諧回路，使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至，并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù)，使得新儀器在使用時(shí)更為方便，測(cè)量值更為。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下，測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質(zhì)損耗，高頻回路并聯(lián)及串聯(lián)電阻，傳輸線的特性阻等。
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀的技術(shù)指標(biāo)
  1．Q值測(cè)量
   a．Q值測(cè)量范圍：2～1023。
   b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
 c．標(biāo)稱誤差
項(xiàng)    目
GDAT-A
頻率范圍
20kHz～10MHz；
固有誤差
≤5％±滿度值的2％；
工作誤差
≤7％±滿度值的2％；
頻率范圍
10MHz～60MHz；
固有誤差
≤6％±滿度值的2％；
工作誤差
≤8％±滿度值的2％。
2．電感測(cè)量范圍：14.5nH~8.14H

3．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀電容測(cè)量：1~ 460
項(xiàng)    目
GDAT-A
直接測(cè)量范圍
1～460pF
主電容調(diào)節(jié)范圍
準(zhǔn)確度
30～500pF
150pF以下±1.5pF；
150pF以上±1％
   注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)使用規(guī)則
   4．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀信號(hào)源頻率覆蓋范圍
項(xiàng)     目
GDAT-A
頻率范圍
10kHz～50MHz
頻率分段
(虛擬)
10～99.9999kHz
100～999.999kHz
1～9.99999MHz
10～60MHz    
頻率指示誤差
3×10-5±1個(gè)字
   5．Q合格指示預(yù)置功能
      預(yù)置范圍：5～1000。
   6．Q表正常工作條件
   a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃；                    
b．相對(duì)濕度：<80％； 
c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
   7．其他
   a．消耗功率：約25W； 
b．凈重：約7kg； 
c. 外型尺寸：(l×b×h)mm：380×132×280。
   8．產(chǎn)品配置：
a.測(cè)試主機(jī)一臺(tái)；
b.電感9只；
c.夾具一套  
電感：
 
線圈號(hào)    測(cè)試頻率    Q值    分布電容p       電感值 
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH
            
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH
 
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介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀電感器：

按測(cè)試頻率要求，需要配置不同量的電感器。

例如：在1MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配250μH電感器，在50MHz測(cè)試頻率時(shí)，要配0.1μH電感器等。

高頻介質(zhì)樣品（選購(gòu)件）：
在現(xiàn)行高頻介質(zhì)材料檢定系統(tǒng)中，檢定部門為高頻介質(zhì)損耗測(cè)量?jī)x提供的測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)是高頻標(biāo)準(zhǔn)介質(zhì)樣品。

該樣品由人工藍(lán)寶石，石英玻璃，氧化鋁陶瓷，聚四氟乙烯，環(huán)氧板等材料做成Φ50mm，厚1～2mm測(cè)試樣品。用戶可按需訂購(gòu)，以測(cè)試裝置的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。

 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀特點(diǎn)： 

◎ 本公司的自動(dòng)Q值保持技術(shù)，使測(cè)Q分辨率至0.1Q，使tanδ分辨率至0.00005 。

◎ 能對(duì)固體緣材料在10kHz～120MHz介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

◎ 調(diào)諧回路殘余電感值8nH，100MHz的(tanδ)和(ε)的誤差較小。

◎ LCD屏菜單式顯示多參數(shù)：Q值，測(cè)試頻率，調(diào)諧狀態(tài)等。

◎ Q值量程自動(dòng)/手動(dòng)量程控制。

◎ DPLL合成發(fā)生1kHz～60MHz, 50kHz～160MHz測(cè)試信號(hào)。信號(hào)   源輸出口，所以本機(jī)又是一臺(tái)合成信號(hào)源。

◎ 測(cè)試裝置合國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006,美標(biāo)ASTM D150以及IEC60250規(guī)范要求。

介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀工作頻率范圍是10kHz～120MHz,它能完成工作頻率內(nèi)材料的高頻介質(zhì)損耗角(tanδ)和介電常數(shù)(ε)變化的測(cè)試。

本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器和測(cè)微圓筒線性電容器組成，平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品，配用Q表作為指示儀器。

緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。

同樣，由測(cè)微圓筒線性電容器的電容量讀數(shù)變化，通過(guò)公式計(jì)算得到介電常數(shù)。

 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀主要技術(shù)指標(biāo)：

2.1 tanδ和ε性能：

2.1.1 固體緣材料測(cè)試頻率10kHz～120MHz的tanδ和ε變化的測(cè)試。

2.1.2 tanδ和ε測(cè)量范圍：

tanδ：0.1～0.00005，ε：1～50

2.1.3 tanδ和ε測(cè)量（1MHz）：

tanδ：±5%±0.00005，ε：±2%

工作頻率范圍：50kHz～50MHz    四位數(shù)顯，壓控振蕩器

Q值測(cè)量范圍：1～1000三位數(shù)顯，±1Q分辨率

可調(diào)電容范圍：40～500 pF  ΔC±3pF

電容測(cè)量誤差：±1%±1pF

Q表殘余電感值：約20nH

 介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀裝置：