產品品牌：

SMI

產品型號：

SM5420C

制作工藝：

集成

輸出信號：

模擬型

 

SM5420是美國SMI公司,為開發(fā)輪胎壓力傳感器，設計和研制出了一種適用的壓力傳感器，它是一種基于MEMS硅體微機械加工技術的微型壓阻壓力傳感器，敏感元件為―集成惠斯頓全橋。            力敏電阻按常規(guī)設計分布在正方形硅薄膜的四邊邊緣中心點，按〈110〉晶向排列，一對呈縱向布局，一對呈切向布局，從而形成惠斯頓應變全橋。電阻條寬8um，全長60um,平均有效應力可以保證100mV／V 的輸出靈敏度。電阻采用離子注入摻雜形成，有優(yōu)良的均勻性和摻雜準確度以保證零位和靈敏度的穩(wěn)定性，電阻設計的阻抗為5KΩ，采用硅硅鍵合技術形成壓力傳感器的真空參考腔。它比之用硅－pyrex玻璃陽極鍵合形成壓力參考腔有更優(yōu)良的熱膨漲系統(tǒng)匹配，因而更有利于產品的熱穩(wěn)定性和時間穩(wěn)定性。采用這一設計工藝技術的另一重大優(yōu)點是可以大大縮小單元芯片尺寸，本設計的單元芯片尺寸為0.65mm ×0.65mm，在一個六英寸硅圓片上可制作二萬四千余個力敏感元件單元，而采用硅―玻璃鍵合設計的單元芯片尺寸一般為1.5×1.5mm至2.2×2.2mm，因而在一個四英吋的硅圓片上可制的壓力敏感元件單元分別為3400個和1600個，顯而易見，我們的設計有利于降低單元制作成本。            當然，采用這一設計的前提是掌握好硅―硅鍵合技術及薄硅膜片制作技術。鑒于輪胎壓力傳感器的量程較大，硅膜片較厚，采用精密機械減薄或各向同性腐蝕技術都不難達到設計的要求，即使將這一設計的量程下延至汽車用MAP和AAP壓力傳感器的量程，采用Smart Cut 技術或外延片電化學選擇腐蝕技術亦不難獲得15~20um厚的硅薄膜。                      用MEMS硅體微機械加工技術制作成功輪胎壓力監(jiān)測系統(tǒng)用的輪胎壓力傳感器芯片，采用硅―硅鍵合設計與相關工藝技術縮小芯片尺寸，降低單元成本，為TPMS產品開發(fā)走出了步。