單晶研究及摻雜、規(guī)模生產(chǎn)型
功率:2.45GHz,6KW;
水冷樣品臺(tái):直徑50mm,樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)可選
真空系統(tǒng):機(jī)械泵+渦輪分子泵TMP
控制系統(tǒng):半自動(dòng)或全自動(dòng)控制
生長(zhǎng)速率: 50μm/h,or even higher
多種子沉積: 10-25 PCS @5×5, (10×10 or 20×20)
高水平單晶及摻雜工藝培訓(xùn),現(xiàn)場(chǎng)演示單晶生長(zhǎng)。
整體特點(diǎn):專門為單晶生產(chǎn)及研究配置,易摻雜;可獲得高純度單晶金剛石(SCD),雜質(zhì)含量<1ppm,無(wú)色透明單晶; 可實(shí)現(xiàn)高濃度B-doping、N-doping,獲得高遷移率金剛石半導(dǎo)體,部分研究機(jī)構(gòu)使用我們的設(shè)備已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。
大規(guī)模單晶生產(chǎn)型:
功率:915MHz,30KW
樣品臺(tái):直徑100mm,水冷,旋轉(zhuǎn)
真空系統(tǒng):機(jī)械泵+分子泵,真空度10-7 Torr
全自動(dòng)控制模式,手動(dòng)和半自動(dòng)可選
生長(zhǎng)速率:50μm/h
多種子同時(shí)生長(zhǎng): 40-100 PCS @5×5, (10×10 or 20×20)
整體特點(diǎn):專門為大規(guī)模單晶生產(chǎn)配置;可獲得高純度單晶金剛石(SCD),可實(shí)摻雜,也可以使用該配置設(shè)備進(jìn)行大面積UNCD/PCD生長(zhǎng)。








