單晶研究及摻雜、規(guī)模生產(chǎn)型 
功率：2.45GHz，6KW； 
水冷樣品臺(tái)：直徑50mm，樣品臺(tái)旋轉(zhuǎn)可選 
真空系統(tǒng)：機(jī)械泵+渦輪分子泵TMP 
控制系統(tǒng)：半自動(dòng)或全自動(dòng)控制 
生長(zhǎng)速率： 50μm/h，or even higher 
多種子沉積: 10-25 PCS @5×5, (10×10 or 20×20)

高水平單晶及摻雜工藝培訓(xùn)，現(xiàn)場(chǎng)演示單晶生長(zhǎng)。

整體特點(diǎn)：專門為單晶生產(chǎn)及研究配置，易摻雜；可獲得高純度單晶金剛石(SCD)，雜質(zhì)含量<1ppm，無(wú)色透明單晶; 可實(shí)現(xiàn)高濃度B-doping、N-doping，獲得高遷移率金剛石半導(dǎo)體，部分研究機(jī)構(gòu)使用我們的設(shè)備已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。


大規(guī)模單晶生產(chǎn)型： 
功率：915MHz，30KW 
樣品臺(tái)：直徑100mm，水冷，旋轉(zhuǎn) 
真空系統(tǒng)：機(jī)械泵+分子泵，真空度10-7 Torr 
全自動(dòng)控制模式，手動(dòng)和半自動(dòng)可選 
生長(zhǎng)速率：50μm/h 
多種子同時(shí)生長(zhǎng): 40-100 PCS @5×5, (10×10 or 20×20) 
整體特點(diǎn)：專門為大規(guī)模單晶生產(chǎn)配置；可獲得高純度單晶金剛石(SCD)，可實(shí)摻雜，也可以使用該配置設(shè)備進(jìn)行大面積UNCD/PCD生長(zhǎng)。