ETMapSys是針對高端納米薄膜研發(fā)和質量控制領域中大面積樣品檢測專門設計的在線薄膜測量系統(tǒng)。    ETMapSys用于對1.4m * 1.1m及以上的大面積樣品進行在線檢測?？蓽y量光滑平面基底上的納米薄膜，包括單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k；并可同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k?？蓽y量樣品上指定區(qū)域的樣品參數(shù)以及樣品表面的均一性分布。    ETMapSys融合量拓科技在高激光橢偏儀的先進技術和產品設計方面的經驗，性能卓越。

特點:

• 微米量級的全面積掃描先進的系統(tǒng)設計，能夠使探頭到達樣品上每個點，掃描達到微米量級。
• 原子層量級的膜厚分析采用非接觸、無破壞性的橢偏測量技術，對納米薄膜達到極高的測量準確度和靈敏度，膜厚測量靈敏度可達到0.05nm。
• 簡單方便安全的儀器操作 用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程，數(shù)據(jù)一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行測量設置。
•  大面積樣品上全表面測量  可對1.4m*1.1m及以上的大面積薄膜樣品各點的性質進行分析和比較。                                                                                                  

應用:

 ETMapSys適合于高要求的大面積納米薄膜研發(fā)和質量控制。

 ETMapSys可用于測量大面積的納米薄膜樣品上單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k；同時用于塊狀材料

 ETMapSys可應用于：

• 大面積液晶顯示屏上的鍍層測量
• 大面積半導體芯片的薄膜測量
• 大面積低輻射玻璃（LOW-E）的鍍膜（ZnO,SnO2,TiO2,Ag）測量
• 大面積金屬上納米薄膜測量
• 大面積的光學薄膜（TiO2，SiO2等）測量

技術指標 :

項目	技術指標
系統(tǒng)型號	ETMapSys-PV
結構類型	在線式
激光波長	632.8nm (He-Ne laser)
膜厚測量重復性（1）	0.05nm (對于Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率n測量重復性（1）	5x10-4  (對于Si基底上100nm的SiO2膜層)
結構	PSCA
激光光束直徑	~1 mm
入射角度	65°-75°可選
樣品放置	放置方式：水平運動：X軸單方向運動運動范圍：>1.4m三維平移調節(jié)二維俯仰調節(jié)可對樣品進行掃描測量
樣品臺尺寸	1.4m*1.1m，并可定制。
測量速度	典型0.6s-4s /點（取決于樣品種類及測量設置）
的膜層厚度測量范圍	粗糙表面樣品：與絨面物理結構及材料性質相關光滑平面樣品：透明薄膜可達4000nm，吸收薄膜與材料性質相關
選配件	樣品監(jiān)視系統(tǒng)自動樣品上片系統(tǒng)

    注：（1）測量重復性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量25次所計算的標準差。

性能保證:

• 高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、高的采樣方法以及低噪聲探測技術，保證了系統(tǒng)的高穩(wěn)定性和高準確度
• 穩(wěn)定的結構設計、可靠的樣品方位對準，結合先進的采樣技術，保證了快速、穩(wěn)定測量
• 一體化集成式的結構設計，使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高
• 一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫，方便用戶使用