一、產(chǎn)品簡介
MXY8001光電技術(shù)應用開發(fā)綜合實驗平臺是針對高校關(guān)于導軌式光學實驗的需求設計的一款實驗平臺。由光學導軌、數(shù)字儀表及電子元器件平臺、線/面陣CCD相機的原理與應用及數(shù)據(jù)采集輸入輸出端口和線/面陣CCD相機數(shù)據(jù)采集軟件等部分構(gòu)成，平臺配備各種電源接口及0-200V 高壓可調(diào)電源和0-12V低壓可調(diào)電源，可為學生搭建各種實驗電路提供電源。學生能夠利用平臺自行搭建各種光學系統(tǒng)、光電傳感器的變換及處理電路，完成各種關(guān)于光電技術(shù)方面的應用開發(fā)設計，從各方面學生的動手動腦能力及意識，幫助高校培養(yǎng)光電技術(shù)人才。
二、教學目的
1、了解并掌握各種光學配件及其實驗的原理和應用；
2、了解并掌握各種光電傳感器的工作原理、變換電路、處理電路；
3、了解CPLD的應用開發(fā)技術(shù)；
三、實驗內(nèi)容
在平臺配件的支持下能夠完成下述實驗內(nèi)容：
光電技術(shù)實驗：
1、光源發(fā)光光譜特性實驗；
2、光源發(fā)個角度特性實驗；
3、光度輻射度參數(shù)測量的實驗；
4、光敏電阻特性參數(shù)及其測量；
5、光敏電阻伏安特性實驗；
6、光敏電阻的變換電路；
7、光敏電阻時間響應特性；
8、光電二管光照靈敏度的測量；
9、光電二管伏安特性的測量；
10、光電二管時間響應特性的測量；
11、硅光電池在不同偏置狀態(tài)下的基本特性；
12、測試硅光電池在不同偏置狀態(tài)下的典型特性參數(shù)；
13、測量硅光電池在反向偏置下的時間響應；
14、PIN光電二管特性實驗；
15、光電三管光照靈敏度的測量；
16、光電三管伏安特性的測量；
17、光電三管時間響應的測量；
18、光電三管光譜特性的測量；
19、光電耦合器電流傳輸比的測量；
20、光電耦合器件伏安特性的測量；
21、光電耦合器件時間相應的測量；
22、光電開關(guān)的應用實驗；
23、光電耦合器件的隔離特性的測量；
24、熱釋電器件基本原理實驗；
25、熱釋電器件光譜響應的測試實驗；
26、PSD位移傳感器特性參數(shù)的測量；
27、光電管陽暗電流Id的測量；
28、光電管陽光照靈敏度Sa的測量；
29、光電管的靈敏度Sa與電源電壓Ubb的關(guān)系
30、光電管的電流增益G的測量；
31、二象限光電傳感特性實驗；
32、雪崩光電二管（APD）特性實驗；
33、測量LED正向電壓；
34、測量LED反向電壓；
35、測量LED的正、反向工作電流；
36、測量發(fā)光光源中心軸空間角；
37、測量發(fā)光光源的半發(fā)光強度的角度；
38、測量發(fā)光光源中心軸與機械軸的偏差角；
39、測量LED的發(fā)光光譜；
40、測量LD半導體激光器的發(fā)光光譜；
光電檢測技術(shù)實驗：
1、線陣CCD原理與驅(qū)動實驗；
2、線陣CCD測徑實驗；
3、線陣CCD角度測量實驗；
4、利用線陣CCD識別條碼；
5、利用線陣CCD測量物置和振動；
6、利用線陣CCD進行物體掃描；
7、光柵與莫爾條紋；
8、利用夫瑯和費衍射進行的測量；
9、面陣CCD原理與驅(qū)動實驗；
10、利用面陣CCD測量物體外形尺寸；
11、利用面陣CCD提取物體的邊緣與輪廓；
12、利用面陣CCD進行圖像采集與參數(shù)設置；
13、利用面陣CCD進行投影與差影圖像分析；
14、利用面陣CCD進行圖像的濾波與增強；
15、利用面陣CCD進行形態(tài)學處理；
16、利用面陣CCD進行物體的旋轉(zhuǎn)與縮放；
17、利用面陣CCD對顏色識別；
18、利用面陣CCD進行圖像信息的點運算；
19、利用面陣CCD進行圖像的幾何變換；
20、利用面陣CCD進行數(shù)據(jù)采集實驗；
MXY8001光電技術(shù)應用開發(fā)綜合實驗平臺是針對高校關(guān)于導軌式光學實驗的需求設計的一款實驗平臺。由光學導軌、數(shù)字儀表及電子元器件平臺、線/面陣CCD相機的原理與應用及數(shù)據(jù)采集輸入輸出端口和線/面陣CCD相機數(shù)據(jù)采集軟件等部分構(gòu)成，平臺配備各種電源接口及0-200V 高壓可調(diào)電源和0-12V低壓可調(diào)電源，可為學生搭建各種實驗電路提供電源。學生能夠利用平臺自行搭建各種光學系統(tǒng)、光電傳感器的變換及處理電路，完成各種關(guān)于光電技術(shù)方面的應用開發(fā)設計，從各方面學生的動手動腦能力及意識，幫助高校培養(yǎng)光電技術(shù)人才。
二、教學目的
1、了解并掌握各種光學配件及其實驗的原理和應用；
2、了解并掌握各種光電傳感器的工作原理、變換電路、處理電路；
3、了解CPLD的應用開發(fā)技術(shù)；
三、實驗內(nèi)容
在平臺配件的支持下能夠完成下述實驗內(nèi)容：
光電技術(shù)實驗：
1、光源發(fā)光光譜特性實驗；
2、光源發(fā)個角度特性實驗；
3、光度輻射度參數(shù)測量的實驗；
4、光敏電阻特性參數(shù)及其測量；
5、光敏電阻伏安特性實驗；
6、光敏電阻的變換電路；
7、光敏電阻時間響應特性；
8、光電二管光照靈敏度的測量；
9、光電二管伏安特性的測量；
10、光電二管時間響應特性的測量；
11、硅光電池在不同偏置狀態(tài)下的基本特性；
12、測試硅光電池在不同偏置狀態(tài)下的典型特性參數(shù)；
13、測量硅光電池在反向偏置下的時間響應；
14、PIN光電二管特性實驗；
15、光電三管光照靈敏度的測量；
16、光電三管伏安特性的測量；
17、光電三管時間響應的測量；
18、光電三管光譜特性的測量；
19、光電耦合器電流傳輸比的測量；
20、光電耦合器件伏安特性的測量；
21、光電耦合器件時間相應的測量；
22、光電開關(guān)的應用實驗；
23、光電耦合器件的隔離特性的測量；
24、熱釋電器件基本原理實驗；
25、熱釋電器件光譜響應的測試實驗；
26、PSD位移傳感器特性參數(shù)的測量；
27、光電管陽暗電流Id的測量；
28、光電管陽光照靈敏度Sa的測量；
29、光電管的靈敏度Sa與電源電壓Ubb的關(guān)系
30、光電管的電流增益G的測量；
31、二象限光電傳感特性實驗；
32、雪崩光電二管（APD）特性實驗；
33、測量LED正向電壓；
34、測量LED反向電壓；
35、測量LED的正、反向工作電流；
36、測量發(fā)光光源中心軸空間角；
37、測量發(fā)光光源的半發(fā)光強度的角度；
38、測量發(fā)光光源中心軸與機械軸的偏差角；
39、測量LED的發(fā)光光譜；
40、測量LD半導體激光器的發(fā)光光譜；
光電檢測技術(shù)實驗：
1、線陣CCD原理與驅(qū)動實驗；
2、線陣CCD測徑實驗；
3、線陣CCD角度測量實驗；
4、利用線陣CCD識別條碼；
5、利用線陣CCD測量物置和振動；
6、利用線陣CCD進行物體掃描；
7、光柵與莫爾條紋；
8、利用夫瑯和費衍射進行的測量；
9、面陣CCD原理與驅(qū)動實驗；
10、利用面陣CCD測量物體外形尺寸；
11、利用面陣CCD提取物體的邊緣與輪廓；
12、利用面陣CCD進行圖像采集與參數(shù)設置；
13、利用面陣CCD進行投影與差影圖像分析；
14、利用面陣CCD進行圖像的濾波與增強；
15、利用面陣CCD進行形態(tài)學處理；
16、利用面陣CCD進行物體的旋轉(zhuǎn)與縮放；
17、利用面陣CCD對顏色識別；
18、利用面陣CCD進行圖像信息的點運算；
19、利用面陣CCD進行圖像的幾何變換；
20、利用面陣CCD進行數(shù)據(jù)采集實驗；
