結(jié)構(gòu)
一個NMOS晶體管的立體截面圖左圖是一個N型 MOSFET（以下簡稱NMOS）的截面圖。如前所述，MOSFET的是位于的MOS電容，而左右兩側(cè)則是它的源與漏。源與漏的特性須同為N型（即NMOS）或是同為P型（即PMOS）。右圖NMOS的源與漏上標示的“N+”代表著兩個意義：⑴N代表摻雜（d）在源與漏區(qū)域的雜質(zhì)性為N；⑵“+”代表這個區(qū)域為高摻雜濃度區(qū)域（heavily d region），也就是此區(qū)的電子濃度遠高于其他區(qū)域。在源與漏之間被一個性相反的區(qū)域隔開，也就是所謂的基（或稱基體）區(qū)域。如果是NMOS，那么其基體區(qū)的摻雜就是P型。反之對PMOS而言，基體應該是N型，而源與漏則為P型（而且是重（讀作zhong）摻雜的P+）?；w的摻雜濃度不需要如源或漏那么高，故在右圖中沒有“+”。
對這個NMOS而言，真正用來作為通道、讓載流子通過的只有MOS電容正下方半導體的表面區(qū)域。當一個正電壓施加在柵上，帶負電的電子就會被吸引至表面，形成通道，讓N型半導體的多數(shù)載流子—電子可以從源流向漏。如果這個電壓被移除，或是放上一個負電壓，那么通道就無法形成，載流子也無法在源與漏之間流動。假設操作的對象換成PMOS，那么源與漏為P型、基體則是N型。在PMOS的柵上施加負電壓，則半導體上的空穴會被吸引到表面形成通道，半導體的多數(shù)載流子—空穴則可以從源流向漏。假設這個負電壓被移除，或是加上正電壓，那么通道無法形成，一樣無法讓載流子在源和漏間流動。要說明的是，源在MOSFET里的意思是“提供多數(shù)載流子的來源”。對NMOS而言，多數(shù)載流子是電子；對PMOS而言，多數(shù)載流子是空穴。相對的，漏就是接受多數(shù)載流子的端點。溫馨提示：
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