外腔半導體激光器是通過光柵外腔反饋方法來壓窄半導體激光器線寬，它具有壽命長、線寬窄、體積小、頻率穩(wěn)定、可選波長范圍寬等特點，可應用在科研、、航天領域。此產(chǎn)品是我公司自主研發(fā)生產(chǎn)的我國批外腔半導體激光器商業(yè)產(chǎn)品，技術、價格低廉，在國內(nèi)具有優(yōu)勢，國際平。
其他說明
| 波長(Wavelength) | 371nm~ 490nm ,630nm ~ 1710nm |
| 線寬(Linewidth) | <500kHz |
| 功率(Optical power) | 5 ~ 200mW |
| 波長粗調范圍(Welength tuning range) | 3 ~ 100nm |
| 無跳模調諧范圍(Mode-hop free tuning range) | 10 ~ 60GHz |
| 光束質量(Beam quality) M 2 | <1.2 |
| 光斑大小(Spot size) | <2mm |
| 發(fā)散角(Divergence angle) | <1mrad |
| 電流源噪聲(Current source noise) | <2μA |
| 功率穩(wěn)定性(Power stability) | <0.5%(12h) |
| 溫控穩(wěn)定度(Temperature stabillity) | <3mK |
| 模式(Mode) | TEM00 |
| 激光頭(電源)尺寸(Head/electrics size) | 160*80*65mm,360*300*140mm |
