太陽能多晶硅晶片和單晶硅晶片的生產(chǎn)過程涉及到機(jī)械，濕化學(xué)，熱學(xué)和電子物理過程，從硅碇上切割下的晶片，進(jìn)行蝕刻，摻雜。這些工藝過程，以及工藝間的晶片搬運(yùn)，都會引入應(yīng)力，從而導(dǎo)致晶片的缺陷。例如：
　　-微裂紋
　　-針孔
　　-雜質(zhì)
　　-污垢
　　在制作電池片以前，須對晶片進(jìn)行檢測分級，穩(wěn)定的識別缺陷。
　　右圖的樣品顯示的微裂紋，由于機(jī)械拉伸引起。這類缺陷嚴(yán)重，因?yàn)榱鸭y就在潛的斷裂點(diǎn)。
　　樣品：晶片的微裂紋
　　
　　Op-tection晶片檢測的在線和離線解決方案
　　
　　晶片檢測系統(tǒng)依據(jù)太陽能光伏工業(yè)需求進(jìn)行設(shè)計，可集成到生產(chǎn)線上
　　
　　實(shí)現(xiàn)在線檢測，也可構(gòu)建離線式檢測系統(tǒng)對一批晶片的缺陷進(jìn)行檢測。
　　這兩種情況需要生產(chǎn)線停頓，都可在生產(chǎn)運(yùn)轉(zhuǎn)中實(shí)現(xiàn)測試。為了提供、穩(wěn)定的檢測結(jié)果，利用高分辨率的行掃描攝像頭，利用增強(qiáng)型近紅外光譜，并配備近紅外光學(xué)優(yōu)化透鏡，利用LED光源（避免鹵素光源照明的缺點(diǎn)），獲取穩(wěn)定、高分辨率圖象，實(shí)現(xiàn)檢測。
　　
　　強(qiáng)大功能的缺陷分析處理軟件，包括信息預(yù)處理，濾波算法，以及的圖象數(shù)據(jù)分析處理算法分辨出灰度圖象近似的晶格和微裂紋。避免良品誤判，也避免缺陷晶片混入到下一步工藝—電池片的生產(chǎn)中。增加良率，的質(zhì)量控制，降低了成本，從而實(shí)現(xiàn)了生產(chǎn)效率的。
　　　
　　用戶界面顯示了實(shí)際的檢測狀態(tài)，包括測試結(jié)果的統(tǒng)計。圖象和測試參數(shù)都可存儲在PC的數(shù)據(jù)中，通過網(wǎng)絡(luò)可訪問數(shù)據(jù)庫，并可實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的檢查和統(tǒng)計分析。
　　晶片檢測系統(tǒng)在線檢測方案
　　　
　　規(guī)格
　　晶片規(guī)格 5〞~6〞/100um~250um厚度
　　數(shù)據(jù)采集＜＝1s（圖象記錄時間）
　　測試節(jié)拍＜＝1.2 s（連續(xù)兩片晶圓間的間隔）
　　測試周期＜＝2s（從開始檢測到檢測結(jié)果顯示）
　　缺陷類型微裂紋，大裂紋，針孔，雜質(zhì)
　　光學(xué)裝置
　　攝像頭高分辨率線陣攝像頭，4096象素
　　
　　分辨率 40um/象素
　　照明 LED條形光源（近紅外光）
　　透鏡高分辨率透鏡
　　電子設(shè)備
　　-PC 19〞工業(yè)PC，WinXP操作系統(tǒng)，19〞顯示器
　　-UPS電源 PC和攝像頭使用不間斷電源（UPS）
　　接口數(shù)字I/0接口，24V光耦合信號
　　網(wǎng)絡(luò) 10/100/1000 Mbit，RJ 45連接頭
　　電源 115~230VAC/50-60Hz/＜1200W
　　尺寸
　　測量傳感器部分 400mm×500mm×500mm（寬長高），或采用客戶定制尺寸
　　照明部分 400 mm×400mm×200mm（寬長高），或采用客戶定制尺寸。