20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
VDS= 20V
RDS(ON),,= 80m @TYP
RDS(ON),,= 50m @TYP
RDS(ON),,= 40m @TYP
Features
Advanced trench process technology
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
我司大量現(xiàn)貨供應(yīng)
穩(wěn)壓LDO：6206系列，6219系列; 431
升壓：3400，5303（2.7V 2.8V 3.V 3.3V 3.6V 4.5V 5.0V）其中部分已集成二管， 1301等
降壓：3406等
充電保護(hù)IC：4054（2YL6）； SE9016；4057；5056等
功放：8002； 4871； 4863； 8403；4890；
復(fù)位：809（2.63V 2.93V ）
MOS管：2301、2302.2300、2305、2306、2307.等
公司薄利多銷，誠(chéng)實(shí)經(jīng)營(yíng)，價(jià)格具有優(yōu)勢(shì), 良好的服務(wù)、規(guī)格和技術(shù)支持,
品質(zhì)有,對(duì)以上有興趣的請(qǐng)與我聯(lián)系
深圳市合美達(dá)電子有限公司－市場(chǎng)部
聯(lián)系人：李小姐11 0755
