CR啟達科技產(chǎn)品手冊
★CR5335推薦5-6W應(yīng)用，兼容OB2535、CR6235
★CR5336推薦6-7.5W應(yīng)用，兼容OB2536、CR6236
★CR5337推薦8-12W應(yīng)用，兼容OB2538、CR6238
CR533X是一款內(nèi)置高壓功率MOSFET、內(nèi)建高基準（&plun;1%）的基于原邊控制模式，輸出&plun;5%的脈寬調(diào)制功率開關(guān)，內(nèi)置了恒流/恒壓兩種控制方式，無需TL431和光耦，適用于小功率AC/DC電源適配器、充電器及LED照明電源，功率為12W。
特征：
1.原邊控制模式,無需TL431和光耦
2.內(nèi)置600V功率開關(guān)MOSFET
3.恒壓和恒流可達5%
4.頻率抖動
5.過溫保護OTP功能
6.恒流和輸出功率可調(diào)
★CR5224支持12W以內(nèi)的適配器應(yīng)用，兼容OB2353/OB2354、CR6224
★CR5228支持15W以內(nèi)全電壓適配器應(yīng)用，兼容OB2358、CR6228
★CR5229支持18W以內(nèi)全電壓適配器應(yīng)用，兼容CR6229
CR522X是內(nèi)置高壓功率MOSFET的電流模反激PWM控制芯片,適用于5-18W以內(nèi)的全電壓范圍離線式反激開關(guān)電源,具有、低待機功耗、的優(yōu)點。設(shè)計了完善的保護功能，包括軟啟動、過溫保護（OTP）、VDD欠壓鎖定保護（UVLO）、過壓保護（OVP）及箝位、逐周期電流限制（OCP）、過載保護（OLP）和圖騰柱輸出驅(qū)動高箝位等，對音頻噪聲和FM干擾進行了處理。芯片內(nèi)置的頻率抖動和圖騰柱柵軟驅(qū)動技術(shù)可容易地獲得良好的EMI性能。CR522X采用DIP-8L封裝，
特征：
1.內(nèi)置600V功率開關(guān)MOSFET
2.過溫保護功能
3.低的啟動電流:3u A(T)低的工作電流:2m A(T)
4.內(nèi)置軟啟動以減小MOSFET應(yīng)力
5.內(nèi)置頻率抖動以EMI特性
◆CR6853（兼容OB2263、CR9853）
是一款高集成度、低功耗的電流模PWM控制器，適用于離線式AC-DC反激拓撲的36W以內(nèi)中小功率電源模塊。具有、低待機功耗、的優(yōu)點。CR6853設(shè)計了完善的保護功能，包括VDD欠壓鎖定保護（UVLO）、過壓保護（OVP）及箝位、逐周期電流限制（OCP）、過載保護（OLP）等，優(yōu)化的負載檢測機制和芯片內(nèi)部環(huán)路補償，適應(yīng)各種類型的負載。芯片內(nèi)置的頻率抖動和圖騰柱柵軟驅(qū)動技術(shù)可容易地獲得良好的EMI性能。
特征：
1.低功耗低待機綠色
2.優(yōu)化的EMI特性
3.外部頻率可編程
4.優(yōu)化降頻技術(shù)
5.輕載工作無音頻噪音
6.的保護功能
◆CR6854(兼容OB2273)
是一款高集成度、低功耗的電流模PWM控制芯片，該芯片適用于離線式AC-DC反激拓撲的中小功率電源模塊。優(yōu)化的多模式圖騰驅(qū)動電路配以頻率抖動技術(shù)，可以減小開關(guān)損耗同時獲得良好的EMI特性。芯片采用功耗控制技術(shù)，待機開通延展技術(shù)，輔以VDD HOLD模式，大的的降低開關(guān)頻率，降低了待機功耗。CR6854內(nèi)置了多種保護功能：過壓保護、逐周期峰值電流限制、軟啟動、過溫保護、欠壓鎖定等。
特征：
1.待機功耗（〈100mW）
2.啟動電流（約1μ A）和工作電流（約1m A）
3.效率均衡技術(shù)
4.優(yōu)化的EMI特性
5.VDD HOLD模式
6.輕載工作無音頻噪聲
7.欠壓鎖定（UVLO）、周期電流限制、軟啟動、過溫保護、短路保護、過載保護等保護功能
◆CR6842/CR6845（兼容OB2269、CR9842）
是一款高集成度，低功耗的電流模PWM控制器，適用于100W以內(nèi)離線式AC-DC反激拓撲的電源模塊。優(yōu)化的流控圖騰驅(qū)動電路配以頻率抖動技術(shù)，可以減小開頭損耗同時獲得良好的的EMI特性。為了獲得良好的效率和待機功耗，CR6842在重載或中等負載時，工作在PWM模式，在空載和輕載時，電路采用綠色模式，的降低了待機功耗。CR6842/45內(nèi)置了多種保護功能：欠壓鎖定、過載保護、過溫保護、過壓保護及鉗位等，保護解除后均可自動恢復工作
特征：
1.“OCP/OPP恢復間隙”控制技術(shù)；
2．低的啟動電流:7.5μ A (T)\低的工作電流：3m A (T)；
3.內(nèi)置頻率抖動以EMI特性；4.內(nèi)置前沿消隱（LEB）電路和同步斜率補償
5.為效率和小待機功耗而設(shè)計的Hiccup Mode & PFM工作模式；
6.VDD欠壓保護（UVLO）、過壓保護（OVP）及VDD電壓鉗位功能、過溫保護（OTP）、OLP等多種自恢復保護內(nèi)置OCP補償模塊，的OCP性能
★CR5335推薦5-6W應(yīng)用，兼容OB2535、CR6235
★CR5336推薦6-7.5W應(yīng)用，兼容OB2536、CR6236
★CR5337推薦8-12W應(yīng)用，兼容OB2538、CR6238
CR533X是一款內(nèi)置高壓功率MOSFET、內(nèi)建高基準（&plun;1%）的基于原邊控制模式，輸出&plun;5%的脈寬調(diào)制功率開關(guān)，內(nèi)置了恒流/恒壓兩種控制方式，無需TL431和光耦，適用于小功率AC/DC電源適配器、充電器及LED照明電源，功率為12W。
特征：
1.原邊控制模式,無需TL431和光耦
2.內(nèi)置600V功率開關(guān)MOSFET
3.恒壓和恒流可達5%
4.頻率抖動
5.過溫保護OTP功能
6.恒流和輸出功率可調(diào)
★CR5224支持12W以內(nèi)的適配器應(yīng)用，兼容OB2353/OB2354、CR6224
★CR5228支持15W以內(nèi)全電壓適配器應(yīng)用，兼容OB2358、CR6228
★CR5229支持18W以內(nèi)全電壓適配器應(yīng)用，兼容CR6229
CR522X是內(nèi)置高壓功率MOSFET的電流模反激PWM控制芯片,適用于5-18W以內(nèi)的全電壓范圍離線式反激開關(guān)電源,具有、低待機功耗、的優(yōu)點。設(shè)計了完善的保護功能，包括軟啟動、過溫保護（OTP）、VDD欠壓鎖定保護（UVLO）、過壓保護（OVP）及箝位、逐周期電流限制（OCP）、過載保護（OLP）和圖騰柱輸出驅(qū)動高箝位等，對音頻噪聲和FM干擾進行了處理。芯片內(nèi)置的頻率抖動和圖騰柱柵軟驅(qū)動技術(shù)可容易地獲得良好的EMI性能。CR522X采用DIP-8L封裝，
特征：
1.內(nèi)置600V功率開關(guān)MOSFET
2.過溫保護功能
3.低的啟動電流:3u A(T)低的工作電流:2m A(T)
4.內(nèi)置軟啟動以減小MOSFET應(yīng)力
5.內(nèi)置頻率抖動以EMI特性
◆CR6853（兼容OB2263、CR9853）
是一款高集成度、低功耗的電流模PWM控制器，適用于離線式AC-DC反激拓撲的36W以內(nèi)中小功率電源模塊。具有、低待機功耗、的優(yōu)點。CR6853設(shè)計了完善的保護功能，包括VDD欠壓鎖定保護（UVLO）、過壓保護（OVP）及箝位、逐周期電流限制（OCP）、過載保護（OLP）等，優(yōu)化的負載檢測機制和芯片內(nèi)部環(huán)路補償，適應(yīng)各種類型的負載。芯片內(nèi)置的頻率抖動和圖騰柱柵軟驅(qū)動技術(shù)可容易地獲得良好的EMI性能。
特征：
1.低功耗低待機綠色
2.優(yōu)化的EMI特性
3.外部頻率可編程
4.優(yōu)化降頻技術(shù)
5.輕載工作無音頻噪音
6.的保護功能
◆CR6854(兼容OB2273)
是一款高集成度、低功耗的電流模PWM控制芯片，該芯片適用于離線式AC-DC反激拓撲的中小功率電源模塊。優(yōu)化的多模式圖騰驅(qū)動電路配以頻率抖動技術(shù)，可以減小開關(guān)損耗同時獲得良好的EMI特性。芯片采用功耗控制技術(shù)，待機開通延展技術(shù)，輔以VDD HOLD模式，大的的降低開關(guān)頻率，降低了待機功耗。CR6854內(nèi)置了多種保護功能：過壓保護、逐周期峰值電流限制、軟啟動、過溫保護、欠壓鎖定等。
特征：
1.待機功耗（〈100mW）
2.啟動電流（約1μ A）和工作電流（約1m A）
3.效率均衡技術(shù)
4.優(yōu)化的EMI特性
5.VDD HOLD模式
6.輕載工作無音頻噪聲
7.欠壓鎖定（UVLO）、周期電流限制、軟啟動、過溫保護、短路保護、過載保護等保護功能
◆CR6842/CR6845（兼容OB2269、CR9842）
是一款高集成度，低功耗的電流模PWM控制器，適用于100W以內(nèi)離線式AC-DC反激拓撲的電源模塊。優(yōu)化的流控圖騰驅(qū)動電路配以頻率抖動技術(shù)，可以減小開頭損耗同時獲得良好的的EMI特性。為了獲得良好的效率和待機功耗，CR6842在重載或中等負載時，工作在PWM模式，在空載和輕載時，電路采用綠色模式，的降低了待機功耗。CR6842/45內(nèi)置了多種保護功能：欠壓鎖定、過載保護、過溫保護、過壓保護及鉗位等，保護解除后均可自動恢復工作
特征：
1.“OCP/OPP恢復間隙”控制技術(shù)；
2．低的啟動電流:7.5μ A (T)\低的工作電流：3m A (T)；
3.內(nèi)置頻率抖動以EMI特性；4.內(nèi)置前沿消隱（LEB）電路和同步斜率補償
5.為效率和小待機功耗而設(shè)計的Hiccup Mode & PFM工作模式；
6.VDD欠壓保護（UVLO）、過壓保護（OVP）及VDD電壓鉗位功能、過溫保護（OTP）、OLP等多種自恢復保護內(nèi)置OCP補償模塊，的OCP性能
