二次離子質(zhì)譜概述

u  能量的離子打到固體表面會引起表面原子、分子或原子團的二次發(fā)射，即離子濺射。濺射的粒子一般以中性為主，其中有一部分帶有正、負電荷，這就是二次離子。利用質(zhì)量分析器接收分析二次離子就得到二次離子質(zhì)譜。根據(jù)濺射的二次離子信號，可對被轟擊樣品的表面和內(nèi)部元素及分布特征進行分析。

u  二次離子質(zhì)譜儀主要用于材料學（半導體、薄層、緣材料等）、地質(zhì)空間學、天體化學、環(huán)境微生物學和細胞學。

u  主要功能：

               質(zhì)譜分析-表面微區(qū)元素組成

               痕量元素深度剖析

               二次離子成像及顯微圖像分布（2＆3D）

               穩(wěn)定同位素豐度比

               放射性顆粒分析

               地質(zhì)定年

二次離子質(zhì)譜  IMS 7f

1、眾多分析實驗室的主力軍

2、通用磁扇區(qū)二次離子質(zhì)譜儀：比飛行時間（TOF）SIMS要快，比四級桿

     SIMS質(zhì)量分辨率要高

3、高靈敏度痕量元素分析：ppm-ppb級

4、痕量元素深度剖析：亞橫向分辨率，納米級深度分辨率

5、高靈敏度痕量元素二次離子顯微圖像（2＆3D）

6、高分析速度高的穩(wěn)定同位素豐度比

7、可增配裝置，用于放射性樣品分析

8、用于半導體、材料和核能科學、生態(tài)環(huán)境領(lǐng)域、地質(zhì)學

u  靈敏度：IMS 7f 工作時的離子產(chǎn)率(usefulyields- secondary ion detected per atomsputtered)比四桿分析器100倍。做通常的深度剖析或者成像分析，以獲得同樣靈敏度所用時間相比，是飛行時間（TOF）類SIMS的一。(或反過來說，同樣的分析時間，TOF SIMS的靈敏度要低達1000倍)。

u  質(zhì)量分辨: IMS 7f 可以分辨大多數(shù)質(zhì)譜中存在的質(zhì)量干擾，例如，31P與H30Si, 56Fe與28Si or 17O與H16O。這些干擾使得低質(zhì)量分辨率質(zhì)譜儀（比如四桿類型）的探測限大打。CAMECA的SIMS獲得高質(zhì)量分辨率的同時并不會降低分析速度，這是TOF質(zhì)譜儀無法做到的。

u  離子成像：IMS 7f 可以對所選質(zhì)量給出顯微鏡模式的圖像，分辨率一微米。從時間上看，這種模式下獲得圖像的速度比常規(guī)的掃描圖像模式(microprobe mode)要高幾個數(shù)量級。這種模式下還可以大大縮短調(diào)試設(shè)備的時長。

u   若想獲得亞分辨率的圖像，CAMECA IMS 7f 需要采用微探針模式，依靠動態(tài)光學傳輸以及高亮離子源業(yè)界水準的靈敏度和分辨率。