場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。

主要作用：
    1.場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻很高，因此耦合電容可以容量較小，不使用電解電容器。
    2.場效應(yīng)管很高的輸入阻適合作阻變換。常用于多級放大器的輸入級作阻變換。
    3.場效應(yīng)管可以用作可變電阻。
    4.場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。
    5.場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。