3 電路設(shè)計(jì)及
實(shí)際電路按照?qǐng)D1搭建,除了晶體和C1 ,C2的固定部分之外的其它元器件都被集成在電路內(nèi)部, 器件模型選用的0.25um模型.在設(shè)置電路參數(shù)時(shí)有幾點(diǎn)是須留意的.
前面已經(jīng)用Matlab計(jì)算出了gm的和小值是分別如圖5所示的14.5uS和0.7uS,電路中反相器的gm值須在這兩個(gè)值之間才能正常振蕩. 因此MOS管選取了較小的寬長(zhǎng)比以gm的要求.通過(guò)CadenceSpectre進(jìn)行電路得到的gm在各個(gè)corner下從6.3us到3.2u.s之間,滿足要求.
偏置電阻R,使反相器invl工作在線性放大區(qū),這樣才能使反相用具有大的增益并使其振蕩在確定頻率.R1的推薦值是10到25MΩ之間.隨著R1的,反相器的增益隨之,使振蕩器更快的起振并可以在較低的電源電壓下維持振蕩.
R2的作用是增加反相器的輸出電阻并限制驅(qū)動(dòng)晶振的電流的大小.R2的值須大以晶振被過(guò)驅(qū)動(dòng)而導(dǎo)致晶體損壞,32.768KHZ晶體的驅(qū)動(dòng)功率值是1uW. 對(duì)于32.768KHZ的晶振,R2的值在200到300kΩ左右.
CL是晶振的負(fù)載電容,晶振在使用時(shí)對(duì)其負(fù)載電容是有要求的,以晶振在正確的頻率下振蕩.32.768KHZ的晶振一般要求負(fù)載電容為6pf或12.5pf,在實(shí)際應(yīng)用中需要對(duì)電容進(jìn)行調(diào)節(jié)使晶振獲得正確的振蕩頻率. 在本文設(shè)計(jì)的電路中Cl(或C2) 包括兩部分的電容,一部分是片外電容
實(shí)際電路按照?qǐng)D1搭建,除了晶體和C1 ,C2的固定部分之外的其它元器件都被集成在電路內(nèi)部, 器件模型選用的0.25um模型.在設(shè)置電路參數(shù)時(shí)有幾點(diǎn)是須留意的.
前面已經(jīng)用Matlab計(jì)算出了gm的和小值是分別如圖5所示的14.5uS和0.7uS,電路中反相器的gm值須在這兩個(gè)值之間才能正常振蕩. 因此MOS管選取了較小的寬長(zhǎng)比以gm的要求.通過(guò)CadenceSpectre進(jìn)行電路得到的gm在各個(gè)corner下從6.3us到3.2u.s之間,滿足要求.
偏置電阻R,使反相器invl工作在線性放大區(qū),這樣才能使反相用具有大的增益并使其振蕩在確定頻率.R1的推薦值是10到25MΩ之間.隨著R1的,反相器的增益隨之,使振蕩器更快的起振并可以在較低的電源電壓下維持振蕩.
R2的作用是增加反相器的輸出電阻并限制驅(qū)動(dòng)晶振的電流的大小.R2的值須大以晶振被過(guò)驅(qū)動(dòng)而導(dǎo)致晶體損壞,32.768KHZ晶體的驅(qū)動(dòng)功率值是1uW. 對(duì)于32.768KHZ的晶振,R2的值在200到300kΩ左右.
CL是晶振的負(fù)載電容,晶振在使用時(shí)對(duì)其負(fù)載電容是有要求的,以晶振在正確的頻率下振蕩.32.768KHZ的晶振一般要求負(fù)載電容為6pf或12.5pf,在實(shí)際應(yīng)用中需要對(duì)電容進(jìn)行調(diào)節(jié)使晶振獲得正確的振蕩頻率. 在本文設(shè)計(jì)的電路中Cl(或C2) 包括兩部分的電容,一部分是片外電容