場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管.由多數(shù)載流子參與導電,也稱為單型晶體管.它屬于電壓控制型半導體器件. 　　特點: 　　具有輸入電阻高（100MΩ～1 000MΩ）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、工作區(qū)域寬、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點,現(xiàn)已成為雙型晶體管和功率晶體管的強大競爭者. 　　作用: 　　場效應管可應用于放大.由于場效應管放大器的輸入阻很高,因此耦合電容可以容量較小,不使用電解電容器. 　　場效應管可以用作電子開關. 　　場效應管很高的輸入阻適合作阻變換.常用于多級放大器的輸入級作阻變換.場效應管可以用作可變電阻.場效應管可以方便地用作恒流源. [編輯本段]2.場效應管的分類: 　　場效應管分結型、緣柵型(MOS)兩大類 　　按溝道材料:結型和緣柵型各分N溝道和P溝道兩種. 　　按導電方式:耗盡型與增強型,結型場效應管均為耗盡型,緣柵型場效應管既有耗盡型的,也有增強型的。 　　場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管,而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類.