雙(自旋閥)GMR磁傳感器
產(chǎn)品特點(diǎn)
l 每片集成一組或兩組的自旋閥磁電阻（GMR）惠斯通電橋
l 模擬正電壓（半橋）或差分電壓（全橋）輸出
l 測(cè)量范圍：&plun;0.3mT～&plun;4.3mT
l 靈敏度：3mV/V·mT～40mV/V·mT
l 供電電壓：DC1V～DC20V
l 頻率響應(yīng)：0～1MHz
l 非線性度：0.4%～2%
l 溫度穩(wěn)定性：≤20 ppm/℃
l 工作溫度范圍：-40℃～85℃（類(lèi)），-55℃～125℃（第二類(lèi)）
l 微型表面貼裝封裝
應(yīng)用領(lǐng)域
l 磁頭
l 接近開(kāi)關(guān)
l 角度傳感器、轉(zhuǎn)速傳感器、位移傳感器
l 電流檢測(cè)
l 磁電編碼器
l 電子羅盤(pán)
l 特種弱磁檢測(cè)領(lǐng)域
產(chǎn)品說(shuō)明
自旋閥磁電阻（GMR）傳感器芯片是用于檢測(cè)磁場(chǎng)的惠斯通電橋結(jié)構(gòu)。當(dāng)向電橋供電后,在敏感軸方向加入磁場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)引起電橋電阻元件的變化，導(dǎo)致電橋輸出端的電壓產(chǎn)生相應(yīng)的變化，即傳感器的輸出電壓變化量與外加磁場(chǎng)強(qiáng)度成正比。磁電阻（GMR）傳感器芯片采用一組或兩組的GMR惠斯通電橋結(jié)構(gòu)，將磁場(chǎng)轉(zhuǎn)化成模擬正電壓（半橋）或差分電壓（全橋）輸出，具有寬的測(cè)量范圍、高靈敏度、低磁滯、低溫漂和優(yōu)良的線性度，可以測(cè)量&plun;0.3mT～&plun;4.3mT的磁場(chǎng)，采用小型尺寸
封裝。產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于智能、智能交通、汽車(chē)電子、工業(yè)控制、設(shè)備、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。
寬測(cè)量范圍系列
表1：寬測(cè)量范圍系列產(chǎn)品參數(shù)表
型號(hào) | 電阻（Ω） | 靈敏度 （mV/V·mT） | 飽和場(chǎng) （mT） | 分辨力 （nT） | 非線性度 (%)FS | 溫漂 ppm/℃ |
VA110F2 | 5000 | 14 | 2.0 | 241 | 0.59 | 8.8 |
VA110F3 | 10000 | 10 | 4.8 | 727 | 0.55 | 6.4 |
VA110F4 | 20000 | 6 | 4.6 | 1212 | 0.75 | 5.3 |
VA110F5 | 10000 | 6 | 4.6 | 1177 | 1.0% | 6.4 |
