上海朗研光電科技有限公司
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探測效率 > 65 % @ 700nm
暗記數(shù) 200 ~ 2000 cps
后脈沖 3 ~ 5%
時(shí)間抖動 300 ~ 500 ps
工作溫度 -15 ~ 45 ℃
雪崩光電二管工作在蓋格模式時(shí)，區(qū)加載了高的電場，使得進(jìn)入?yún)^(qū)的單個(gè)載流子可以激發(fā)自特性的雪崩過程，增益過10-6，從而可以探測單個(gè)光子。我們設(shè)計(jì)了的主動抑制電路，實(shí)現(xiàn)連續(xù)的單光子探測，并且可加載任意寬度和周期的探測門。該電路實(shí)現(xiàn)了20dB的雪崩抑制，從而將Si APD的性能發(fā)揮到狀態(tài)。探測器532nm波段的探測效率過50%。適合熒光標(biāo)記、激光測距、相關(guān)探測等多種應(yīng)用。
