TEA采用的光干涉原理技術(shù)，可檢測(cè)塊體和薄膜樣品透明材料的熱膨脹系數(shù)，廣泛應(yīng)用于輔助各種新材料，尤其是薄膜材料的研究與開發(fā)以及質(zhì)量檢驗(yàn)。
熱膨脹系數(shù)分析儀技術(shù)
自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品，擁有多項(xiàng)技術(shù)。
基于光干涉原理的技術(shù)，通過(guò)照射到樣品上下表面產(chǎn)生的兩束反射光發(fā)生干涉，得到光功率隨溫度的變化曲線，通過(guò)計(jì)算得到材料的熱膨脹系數(shù)。
采用PID調(diào)節(jié)與模糊控制相結(jié)合形式控制的紅外加熱方式，大溫區(qū)連續(xù)、溫度跟隨、既定程序升溫及保持控制。
非接觸式檢測(cè)，測(cè)試高。
具備外接抽真空設(shè)備、循環(huán)水冷設(shè)備及載氣或制冷能力。
熱膨脹系數(shù)分析儀技術(shù)參數(shù)
型號(hào) | TEA-300 | TEA1200 | TEA-1800 |
溫度范圍 | RT~300℃ | RT~1200℃ | RT~1800℃ |
程序升溫重復(fù)性偏差 | ＜1.0% | ||
程序升溫速率偏差 | ＜1.0% | ||
熱膨脹系數(shù)測(cè)量精密度偏差 | ＜4.5% | ||
熱膨脹系數(shù)測(cè)量正確度偏差 | ＜±15% | ||
工作功率 | 4.0kw | ||
升溫速度 | 50℃/s（50℃~1200℃、真空氛圍），45℃/s℃/（50℃~1200℃，N?氛圍） | ||
溫度一致性 | ±2.0℃（1200℃，真空），±4.5℃（1200℃，N?） | ||
制冷要求 | 水冷 | ||
熱膨脹分辨率 | 266nm | ||
熱膨脹系數(shù)分析儀樣品要求
尺寸：長(zhǎng)×寬5x5~20x20mm2，厚度2.0mm（含基底）以下為宜
適用于透光材料的熱膨脹系數(shù)檢測(cè)
具備光學(xué)反射雙平面
檢測(cè)樣品的熱膨脹量≥266nm
熱膨脹系數(shù)分析儀測(cè)試原理
1.入射光 2.光束隔離器 3.投射光 4.待測(cè)樣品
5.反射光 6.反射光 7.聚光鏡 8.濾光片 9.光電傳感器
光路原理圖
激光器射出的光線經(jīng)分光鏡照射到樣品上表面，產(chǎn)生反射光，同時(shí)投射光照射到下表面也產(chǎn)生一束反射光，兩束反射光在光電探測(cè)器處發(fā)生干涉，反射光功率發(fā)生周期性變化，得到光功率隨材料溫度的變化曲線，通過(guò)計(jì)算得到熱膨脹系數(shù)。
