快速退火爐LRTP-1200，采用紅外輻射加熱技術(shù)，可實現(xiàn)大尺寸樣品（4英寸）快速升溫和降溫，同時搭配溫度控制系統(tǒng)，可的溫場均勻性，對材料的快速熱處理(RTP)、快速退火(RTA)、快速熱氧化(RTO)、快速熱氮化(RTN)等研究工作起到重要作用。
快速退火爐應(yīng)用方向
快速熱處理，快速退火，快速熱氧化，快速熱氮化
離子注入/接觸退火
SiAu, SiAl, SiMo合金化
太陽能電池片鍵合
電阻燒結(jié)
低介電材料熱處理
晶體化，致密化
其他熱工藝需求
快速退火爐產(chǎn)品特點
可測大尺寸樣品 可測單晶片樣品的尺寸為4英寸（100mm）。
快速控溫與高真空 升溫速率可達100℃/s，真空度可10Pa。
程序設(shè)定與氣路擴展 多可創(chuàng)建和存儲32個程序、8個PID設(shè)定，實現(xiàn)不同溫度段的精準測試。多可擴展至4條工藝氣路（MFC），應(yīng)用不同氣氛環(huán)境（真空、氮氣、氬氣、氧氣、氫氮混合氣體等）。
全自動智能控制 采用全自動智能控制，包括溫度、時間、氣體流量、真空、氣氛、冷卻水等均可實現(xiàn)自動控制。
系數(shù) 采用爐門溫度開啟保護、溫控器開啟權(quán)限保護以及設(shè)備急停保護三重措施，保障儀器使用。
快速退火爐技術(shù)參數(shù)
型號 | LRTP-1200 |
高溫度 | 1150℃ |
升溫速率 | 100℃/s |
降溫速度 | 200℃/min(1000℃-->400℃) |
控溫 | ≤0.1℃ |
溫場均勻性 | ≤0.5% |
腔體冷卻 | 水冷方式，冷卻源 |
襯底冷卻 | 氮氣吹掃 |
工藝氣路 | MFC控制，4路(可選氮氣、氬氣、氧氣、氫氮混合氣等) |
主機尺寸 | 450×625×535，單位mm |
