薄膜熱導率測試系統(tǒng)產(chǎn)品特點
不直接測量溫度變化，而是通過測量材料在導熱過程中溫度的變化轉(zhuǎn)換為的電信號的變化來實現(xiàn)微/納米薄膜材料的熱導率，微伏級電壓值，測量結果的高精準度。
采用交流電加熱方式，同時選擇并優(yōu)化設計加熱電的形狀與尺寸，可加熱均勻性及測試應用的廣泛性、準確性與穩(wěn)定性。
待測薄膜樣品金屬尺寸小，能減小黑體輻射引起的測量誤差。
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薄膜熱導率測試系統(tǒng)測試實例
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常溫下不同電流時，SiO2薄膜熱導率測試結果 | 相同溫度下，不同厚度GeTe/Bi2Te3 晶格熱導率測試結果 |
薄膜熱導率測試系統(tǒng)技術參數(shù)
型號 | T-RT |
溫度范圍 | RT |
測試對象 | 半導體薄膜、導電薄膜、緣薄膜等 |
熱導率測量范圍 | 0.1-10W/(m·K)(可擴展至2000W/(m·K)) |
測試 （熱導率） | ±5%(在Si上測量)，±10%（其他） |
適合氛圍 | 真空 |
樣品尺寸 | 長 x 寬：(5-10)x(5-10)，單位mm,薄膜厚度≥100nm |
其他注意事項 | 測量導電薄膜時，需要沉積緣層（推薦：Sio2），薄膜表面要光滑，緣層不漏電； 襯底熱導率要遠大于薄膜熱導率，推薦使用Si、AIN等高熱導襯底。 |
主機尺寸 | 710 x 600 x 490，單位mm |
重量 | 80kg |
薄膜熱導率測試系統(tǒng)技術原理
薄膜熱導率測試系統(tǒng)原理示意圖
本產(chǎn)品技術方案為3ω測試法，其主要原理為在待測薄膜材料表面淀積一層金屬電阻條，往金屬條兩端施加頻率為ω的電流，那么在焦耳熱的作用下該金屬條將產(chǎn)生頻率為2ω的溫升，由于金屬條一般表現(xiàn)出正電阻溫度系數(shù)，這將導致其電阻值也產(chǎn)生頻率為2ω的波動，這個頻率為2ω的電阻與頻率為ω的電流耦合將產(chǎn)生一個在頻率為3ω的小電壓信號V3ω。該小信號電壓的幅值與待測材料的熱導率有關，因而檢測該電壓信號后通過相關計算，就可求出待測材料的熱導率Ks。
