功率器件換相時(shí)間測(cè)試

電路換相關(guān)斷時(shí)間定義為外部切換主電路后，通態(tài)電流降至零瞬間，和器件能承受而不致轉(zhuǎn)折的斷態(tài)電壓急劇上升過(guò)零或zui早的低的正值瞬間之間的時(shí)間間隔。其測(cè)試原理是在反向恢復(fù)測(cè)試后施加特定電壓上升率的再加電壓，調(diào)整電壓和電流的間隔時(shí)間找到臨界值，讀出電流下降到零點(diǎn)到電壓上升。

功率器件換相時(shí)間測(cè)試

技術(shù)條件：

環(huán)境溫度： 5—35℃;

相對(duì)濕度： 小于60%；

大氣壓力： 80Kpa —106Kpa。到零點(diǎn)的時(shí)間。

供電電網(wǎng)： 單向220V±10%；

電網(wǎng)頻率： 50Hz±1Hz；

輸入功率：小于5KW。

zuida關(guān)斷電流ITGQM：200~20000A,連續(xù)可調(diào)，分辨率1A精度±3%±30A ，導(dǎo)通電流寬度zuida5mS

zuida電路換相關(guān)斷時(shí)間：≥2000μs

主電容電壓為100～4500V，連續(xù)可調(diào)，分辨率1V，容許偏差±3%±5V

電感的分檔為100u～1000uH,分4檔，自動(dòng)切換

關(guān)斷反饋延遲時(shí)間：tdoff  SF  0～20μs 分辨率0.01μs  容許偏差±5%±0.05μs

關(guān)斷延遲時(shí)間：td(off)  0～20μs 分辨率0.01μs ，容許偏差±5%±0.05μs

斷態(tài)電壓上升率：dv/dt zuida5000V/μs  分辨率1V/μs，容許偏差±5%±10V/μs

通態(tài)電流下降率：-di/dt zuida-1000A/μs  分辨率1A/μs，容許偏差±5%±10A/μs

控溫范圍：25-180℃，精度2%±1℃

可以滿足150KN的自動(dòng)控溫夾具

功率器件換相時(shí)間測(cè)試

核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)主要有：

MOSFET參數(shù)測(cè)試設(shè)備：

靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括IGSS / BVR / VDS（Sat） / IDSS / VGSTH / VF / RDS（on））；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開(kāi)通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；雪崩能力測(cè)試，老化及可靠性測(cè)試（HTRB / HTGB）。

IGBT參數(shù)測(cè)試設(shè)備：

靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE / VCE）；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開(kāi)通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測(cè)試（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；老化及可靠性測(cè)試（HTRB / HTGB）。

二極管及可控硅/晶閘管（SCR）參數(shù)測(cè)試設(shè)備：

靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括IGT/VGT / IH / VTM / VD/ID / VR/IR / dv/dt / IL ）；動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試（Turn_on&off / Qrr_FRD）；浪涌參數(shù)測(cè)試ITSM；di/dt測(cè)試；老化及可靠性測(cè)試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測(cè)試Rth。

產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等。

( 湖南半導(dǎo)體檢測(cè))

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