拋光過(guò)程中具有:

1.高拋光速率，利用大粒徑的膠體二氧化硅粒子達(dá)到高速拋光的目的。

2.高平坦度加工，本品拋光是利用SiO2的膠體粒子，不會(huì)對(duì)加工件造成物理?yè)p傷，達(dá)到高平坦化加工.

拋光過(guò)程后具有:

1.精度可以達(dá)到納米級(jí)

2.劃傷和挖傷可以達(dá)到0/0。

適用于集成電路當(dāng)中的銅互連工藝制程中銅的去除和平坦化。具有高的銅去除速率，碟型叫陷可調(diào)

低缺陷等特性?？蓱?yīng)用于邏輯芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量產(chǎn)使用。清除集成電路中銅拋光后表面

的拋光顆粒和化學(xué)物殘留，以防銅表面腐蝕，降低表面缺陷。

以及用于單晶硅、多晶硅的研磨拋光，存儲(chǔ)器制程和背照式傳感器(BSI)制程等。可定制選擇穩(wěn)定的選擇

比，去除速率，對(duì)氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優(yōu)點(diǎn)。BSI拋光液系列具有理想的

硅和二氧化硅去除速率和選擇比。涵蓋TSV銅/阻擋層S，TSV晶背銅/介質(zhì)層拋、TSV晶背硅

、TSV晶背硅/銅等。具有高去除速率、選擇比可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)。

以及集成電路制造工藝中淺槽隔離的拋光等等

使用方法

使用方法:

1.使用前清理瓶口，以防污染發(fā)生。

2.使用時(shí)，根據(jù)不同行業(yè)的需要可用去離子水加以稀釋，調(diào)制不同濃度

3.現(xiàn)場(chǎng)需保持清潔無(wú)揚(yáng)塵，防止受到拋光液配制和使用過(guò)程遭到污染。

4.循環(huán)使用粘度增大時(shí),應(yīng)予以重新配制新的拋光液，以免損傷工件，降低良率

儲(chǔ)存方法:

1.保持室內(nèi)陰涼

2.避免敞口長(zhǎng)期與空氣接觸。

3.貯存時(shí)應(yīng)避免曝曬，貯存溫度為5-35C

4.低于0°C以上儲(chǔ)存，防止結(jié)冰，在零度以下因產(chǎn)生不可再分散結(jié)塊而失效

價(jià)格實(shí)惠:

引進(jìn)國(guó)外生產(chǎn)技術(shù)，品質(zhì)可以媲美進(jìn)口的產(chǎn)品,有效的避免了進(jìn)口產(chǎn)品其交貨周期長(zhǎng)，價(jià)格

昂貴。