DKDP電光Q開關(Q-switch, Pockels Cells)因其獨特的物理特性和優(yōu)異的光學品質而廣泛應用于大口徑、高功率、窄脈寬(<10ns)激光系統(tǒng)。DKDP晶體是單軸晶體,具有優(yōu)異的光學質量, 其消光比>1000:1(使用632nm He-Ne激光測量), 波前畸變98%。 DKDP電光Q開關電容小(約為3pF), 因而上升時間短(<0.5ns), 在調Q時可輸出窄脈寬的脈沖激光。與市場上使用較廣泛的電光晶體相比, DKDP晶體具有較高的損傷閾值; 在脈寬10ns、波長為1064nm、重復頻率 10 Hz 的光學條件下, 損傷閾值>1GW/cm2。 D-EO-Q系列DKDP電光Q開關設計制造完全基于工業(yè)化的實際應用。采用優(yōu)良的耐環(huán)境溫度沖擊的材料和結構設計保證開關內環(huán)境的穩(wěn)定以及優(yōu)異的電光性能; 不使用任何具有揮發(fā)性質的封膠或粘合劑, 因而在其所應用的激光系統(tǒng)中, 不會出現(xiàn)對器件和整個激光器系統(tǒng)的污染性影響。產品特點 高消光比: &gt;1000:1 波前畸變: 低電容, 上升時間短: ～3pF 高透過率: &gt;98%高損傷閾值: &gt;1GW/cm2無靜態(tài)雙折射, 無光折變損傷 鍍增透膜的保護性石英窗口 耐環(huán)境溫度沖擊和優(yōu)異的電光性能 無任何封膠或粘合劑 D-EO-Q-30-40-X-WB型開關參數(shù)外觀尺寸：Φ30x40mm 孔徑: Ф6~Ф12mm可選 電壓Vλ/4 : 3.4 KV @1064nm消光比: &gt;1000:1 插入損耗 (單程) : &lt;2% 波前畸變: &lt;λ/10 電容 (pF): ≈17pF 應用光譜范圍: 240-1400nm以上是電光Q開關的詳細信息，如果您對電光Q開關的價格、廠家、型號、圖片有什么疑問，請聯(lián)系我們獲取電光Q開關的新信息。