DKDP電光Q開關(guān)(Q-switch, Pockels Cells)因其獨(dú)特的物理特性和優(yōu)異的光學(xué)品質(zhì)而廣泛應(yīng)用于大口徑、高功率、窄脈寬(<10ns)激光系統(tǒng)。DKDP晶體是單軸晶體,具有優(yōu)異的光學(xué)質(zhì)量, 其消光比>1000:1(使用632nm He-Ne激光測(cè)量), 波前畸變98%。 DKDP電光Q開關(guān)電容小(約為3pF), 因而上升時(shí)間短(<0.5ns), 在調(diào)Q時(shí)可輸出窄脈寬的脈沖激光。與市場(chǎng)上使用較廣泛的電光晶體相比, DKDP晶體具有較高的損傷閾值; 在脈寬10ns、波長為1064nm、重復(fù)頻率 10 Hz 的光學(xué)條件下, 損傷閾值>1GW/cm2。 D-EO-Q系列DKDP電光Q開關(guān)設(shè)計(jì)制造完全基于工業(yè)化的實(shí)際應(yīng)用。采用優(yōu)良的耐環(huán)境溫度沖擊的材料和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)保證開關(guān)內(nèi)環(huán)境的穩(wěn)定以及優(yōu)異的電光性能; 不使用任何具有揮發(fā)性質(zhì)的封膠或粘合劑, 因而在其所應(yīng)用的激光系統(tǒng)中, 不會(huì)出現(xiàn)對(duì)器件和整個(gè)激光器系統(tǒng)的污染性影響。產(chǎn)品特點(diǎn) 高消光比: &gt;1000:1 波前畸變: 低電容, 上升時(shí)間短: ～3pF 高透過率: &gt;98%高損傷閾值: &gt;1GW/cm2無靜態(tài)雙折射, 無光折變損傷 鍍?cè)鐾改さ谋Ｗo(hù)性石英窗口 耐環(huán)境溫度沖擊和優(yōu)異的電光性能 無任何封膠或粘合劑 D-EO-Q-30-40-X-WB型開關(guān)參數(shù)外觀尺寸：Φ30x40mm 孔徑: Ф6~Ф12mm可選 電壓Vλ/4 : 3.4 KV @1064nm消光比: &gt;1000:1 插入損耗 (單程) : &lt;2% 波前畸變: &lt;λ/10 電容 (pF): ≈17pF 應(yīng)用光譜范圍: 240-1400nm以上是電光Q開關(guān)的詳細(xì)信息，如果您對(duì)電光Q開關(guān)的價(jià)格、廠家、型號(hào)、圖片有什么疑問，請(qǐng)聯(lián)系我們獲取電光Q開關(guān)的新信息。