設(shè)備特點(diǎn)： 

1.研削加工技術(shù)：日本機(jī)械學(xué)會(huì)授予岡本標(biāo)準(zhǔn)傳送方式及向下研磨方法技術(shù)    獎(jiǎng)。 

2.機(jī)械的調(diào)整方法：通過(guò)主軸進(jìn)行調(diào)整（），因?yàn)榭蛇M(jìn)行原點(diǎn)    定位，所以調(diào)整相當(dāng)容易；可2處調(diào)節(jié)。 

3.標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)方式：齒軸+定位銷進(jìn)行定位，長(zhǎng)年使用也不會(huì)發(fā)生位移。 

4. 標(biāo)準(zhǔn)潤(rùn)滑方式：潤(rùn)滑油及護(hù)罩，進(jìn)入異物造成磨損。 

5. 設(shè)備剛性：高剛性，不會(huì)因老化造成變化，部件由岡本自產(chǎn)鑄金一      體化生產(chǎn)。 

設(shè)備指標(biāo)： 

1.  晶圓尺寸：    4”、5”、6”、8” 晶圓厚度：1000μm 

2. 研磨方法        向下進(jìn)給式研磨        在線測(cè)量厚度控制         

3. 操作方法        全自動(dòng)、半自動(dòng)、手動(dòng)   

4. 設(shè)備尺寸及重量        尺寸：        1350 (W) x 2370 (D)* x 1845 (H) 

                                重量：        3900 Kg  

工藝指標(biāo)       

片內(nèi)厚度差（TTV）：        ≤1.5μm 

片間厚度差（WTW）        ≤±2μm 

粗糙度（Ry）：        ≤0.13 μm(2000#磨輪) 

注：以8寸Si wafer為例，不帶保護(hù)膜情況