合能陽(yáng)光提供母合金類型：
　　HSD-P3碎塊狀
　　母合金P型-3次方 0.0010-0.0090Ω。cm以下，碎塊狀，碳含量（atom/cm3）<5e16，氧含量（atom/cm3）<1e18，具體每段將詳細(xì)標(biāo)出，每段電阻率偏差在0.001或0.0005范圍內(nèi)
　　HSD-P3整棒狀
　　母合金 P型-3次方 0.0010-0.0090Ω。cm以下，整棒狀，碳含量（atom/cm3）<5e16，氧含量（atom/cm3）<1e18，具體每段將詳細(xì)標(biāo)出，每段電阻率偏差在0.001或0.0005范圍內(nèi)
　　HSD-P3片狀
　　母合金 P型-3次方 0.0010-0.0090Ω。cm以下，片狀，碳含量（atom/cm3）<5e16，氧含量（atom/cm3）<1e18，具體每段將詳細(xì)標(biāo)出，每段電阻率偏差在0.001或0.0005范圍內(nèi)。
　　
　　母合金摻雜的計(jì)算方法
　　■電阻率P的單晶，它的頭部對(duì)應(yīng)的的雜質(zhì)濃度為C頭，多晶硅原料的重量為W，母合金的雜質(zhì)濃度為C母，應(yīng)摻母合金重量為M
　　■應(yīng)摻母合金重量為M＝W*C頭/（K*C母—C頭），其中K為摻雜劑原素在硅中的平衡分凝系數(shù)
　　摻雜的幾個(gè)重要參數(shù)
　　■單晶的型號(hào)（N還是P）
　　■拉制硅單晶的目標(biāo)電阻率；以P型為例，一般要求范圍為0.5~3，選擇1.6~2.5的目標(biāo)阻值基本不會(huì)跑阻，可根據(jù)實(shí)際情況和需要調(diào)整
　　■原料的電阻率（要求）
　　■母合金的雜質(zhì)濃度
　　■所摻雜質(zhì)的分凝系數(shù)
　　我們的產(chǎn)品-拉單晶摻雜劑母合金
　　■本公司生產(chǎn)提供各種各種的母合金，包括以下品種
　　■硅單晶P型10的-3次方母合金
　　■硅單晶P型10的-2次方母合金
　　■硅單晶N型10的-3次方母合金
　　■硅單晶N型10的-2次方母合金。